EMS-22 Advance Program - 第34回電子材料シンポジウム

第 34 回電子材料シンポジウム
34th Electronic Materials
Symposium
EMS-34
ADVANCED PROGRAM
34
July 15th (Wed.) – 17th (Fri.), 2015
Laforet Biwako
http://ems.jpn.org/
【July 15th, Wednesday】
Opening Session (13:20-13:30)
Nobel Prize Special Session I (13:30-14:30)
Chair : 大野英男 (東北大学)
「電子材料シンポジウムと私、今後の期待」
赤﨑 勇
（名城大学終身教授/名古屋大学特別教授）
佐々木昭夫 （京都大学名誉教授）
Break (14:30-14:45)
Nobel Prize Special Session II (14:45-16:15)
Chair : 荒川泰彦 (東京大学)
「私の研究と若手研究者へのメッセージ」
天野 浩
（名古屋大学教授）
中村修二 （カリフォルニア大学サンタバーバラ校教授）
Break (16:15-16:45)
Session We1: Nitride and Oxide Materials (16:45-17:49)
Chair : T. Nakano (Shizuoka University)
We1-1
16:45 (2min+poster)
Dependencies of growth temperature and carrier gases in BGaN growth
BGaN 成長における成長温度とキャリアガス依存性
K. Ueyama, H. Mimura, Y. Inoue, T. Aoki and T. Nakano
Shizuoka University
We1-2
16:47 (2min+poster)
Film formation process during the low pressure chemical vapor deposition of hexagonal boron nitride
減圧 CVD における六方晶窒化ホウ素薄膜の成長プロセス
A. Masuda, N. Umehara, T. Shimizu, T. Kouno, H. Kominami and K. Hara
Shizuoka University
We1-3
16:49 (2min+poster)
Band edge emission from hexagonal boron nitride films grown on sapphire substrates by low pressure
chemical vapor deposition
減圧 CVD によりサファイア基板上に成長した六方晶窒化ホウ素薄膜のバンド端発光
N. Umehara, A. Masuda, T. Shimizu, T. Kouno, H. Kominami and K. Hara
Shizuoka University
We1-4
16:51 (2min+poster)
In situ studies of strain evolution in molecular beam epitaxial growth of GaN using synchrotron X-ray
diffraction
放射光 X 線回折による分子線エピタキシャル成長 GaN のその場ひずみ測定
T. Sasaki and M. Takahasi
Japan Atomic Energy Agency
We1-5
16:53 (2min+poster)
Effect of growth conditions on Eu-doped GaN grown by rf-plasma-assisted molecular-beam epitaxy
RF-MBE による Eu 添加 GaN 成長の成長条件依存性
H. Tahara, H. Sekiguchi, K. Yamane, H. Okada and A. Wakahara
Toyohashi University of Technology
We1-6
16:55 (2min+poster)
Thick (>20 μm) and high-resistivity carbon-doped GaN-buffer layers grown by MOVPE
MOCVD 法によるカーボンドープ厚膜高抵抗ＧａＮバッファ層の成長
T. Tsuchiya, A. Terano and K. Mochizuki
Hitachi, LTD.
We1-7
16:57 (2min+poster)
Growth of high crystallinity GaN layers using Ga2O vapor generated from Ga and H2O vapor
ガリウムと水蒸気から生成された Ga2O ガスを用いた高品質窒化ガリウム膜の成長
Y. Yamaguchi*, Y. Taniyama*, H. Takatsu*, T. Sumi*, A. Kitamoto*, M. Imade*, M. Yoshimura*, M.
Isemura** and Y. Mori*
*Osaka University, **Itochu Plastic Inc.
We1-8
16:59 (2min+poster)
Suppression of inversion domains of -c-GaN growth by OVPE
OVPE 法による-c 面 GaN 成長における極性反転抑制
Y. Taniyama*, Y. Yamaguchi*, H.Takatsu*, T. Sumi*, A. Kitamoto*, M. Imade*, M. Yoshimura*, M.
Isemura** and Y. Mori*
*Osaka University, **Itochu Plastics Inc.
We1-9
17:01 (2min+poster)
Examination of the initial layer for GaN double polarity selective area growth by using MOVPE
両極性同時成長 GaN に向けた初期層 GaN の検討
N. Osumi, K. Kuze, Y. Inoue and T. Nakano
Shizuoka University
We1-10
17:03 (2min+poster)
The examination of dependence on V/III ratio in GaN double polarity selective area growth
GaN 両極性同時成長における V/III 比依存性の検討
K. Kuze, N. Osumi, Y. Inoue and T. Nakano
Shizuoka University
We1-11
17:05 (2min+poster)
Polarity-controlled MOVPE growth of GaN on PLD-AlN templates
パルスレーザ堆積 AlN テンプレート上への GaN の極性制御 MOVPE 成長
J. Yoo, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama and T. Matsuoka
Tohoku University
We1-12
17:07 (2min+poster)
Design of the Transverse Quasi-Phase Matched AlN Waveguides for Deep-UV Second Harmonic
Generation
横型擬似位相整合 AlN 導波路による深紫外第二高調波発生の検討
Y. Mitani, R. Katayama, J. Yoo, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya and T. Matsuoka
Tohoku University
We1-13
17:09 (2min+poster)
Growth of ultra-thin GaN layer on AlN template layer by PAMBE
PAMBE 法による AlN テンプレート層上極薄 GaN 層の成長
M. Kaneko, T. Kimoto and J. Suda
Kyoto University
We1-14
17:11 (2min+poster)
Effects of V/III source ratio on the hole concentration of N-polar (000¯1) p-type GaN grown by MOVPE
MOVPE 成長 N 極性(000¯
1)p 型 GaN の正孔濃度に与える V/III 原料比の影響
R. Nonoda, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, R. Katayama and T. Matsuoka
Tohoku University
We1-15
17:13 (2min+poster)
Dependences of input InCl3 ratio and growth temperature in InGaN growth by tri-halide vapor phase
epitaxy
トリハライド気相成長法を用いた InGaN 成長における InCl3 供給分圧比と成長温度依存性
M. Meguro*, T. Hirasaki*, T. Hasegawa*, H. Murakami*, Y. Kumagai*, B. Monemar*,** and A. Koukitu*
*Tokyo University of Agriculture and Technology, **Linköping University
We1-16
17:15 (2min+poster)
Effect of NH3 input partial pressure on InGaN growth by tri-halide vapor phase epitaxy
トリハライド気相成長法を用いた InGaN 成長における NH3 供給分圧の影響
T. Hirasaki*, T. Hasegawa*, M. Meguro*, H. Murakami*, Y. Kumagai*, B. Monemar*,** and A. Koukitu*
*Tokyo University of Agriculture and Technology, **Linköping University
We1-17
17:17 (2min+poster)
Characterization of compositional fluctuation in InGaN surface by KFM
KFM を用いた InGaN 組成揺らぎの評価
K. Komura, S. Kiyohara, T. Araki and Y. Nanishi
Ritsumeikan University
We1-18
17:19 (2min+poster)
Raman scattering study of the InGaN alloy grown by RF-MBE
RF-MBE 成長した InGaN 薄膜のラマン分光評価
Y. Kato, M. Sakamoto, J. Kikawa, T. Araki and Y. Nanishi
Ritsumeikan University
We1-19
17:21 (2min+poster)
Characteristics of In-rich InGaN films grown on yttria-stabilized zirconia
YSZ 基板上に成長した高 In 組成 InGaN の諸特性
A. Kobayash*, K.-S. Lye*, K. Ueno*, J. Ohta* and H. Fujioka*,**
*The University of Tokyo, **JST-ACCEL
We1-20
17:23 (2min+poster)
Fabrication of High Indium Content InGaN Quantum Wells on Semipolar (1-101) Micro Stripe Crystals/Si
半極性(1-101)GaN ストライプ結晶上高 In 組成 InGaN の作製
M. Kushimoto, Y. Honda and H. Amano
Nagoya University
We1-21
17:25 (2min+poster)
The RF plasma power dependence of structural and electrical properties of thin InN grown by RF-MBE
RF-MBE 成長した InN 薄膜の結晶性、電気的特性に対する RF プラズマパワー依存性
S. Usuda, M. Aranami, T. Araki and Y. Nanishi
Ritsumeikan University
We1-22
17:27 (2min+poster)
RF-MBE growth and characterization of InN on nitridated α-In2O3 grown by mist-CVD
窒化したミスト CVD 成長 α-In2O3 上への RF-MBE 法による InN 成長と評価
A. Buma*, N. Masuda*, T. Araki*, Y. Nanishi*, M. Oda** and T Hitora**
*Ritsumeikan University, **FLOSFIA,
We1-23
17:29 (2min+poster)
Surface energy and facet formation in InN films grown by pressurized-reactor MOVPE
InN 加圧 MOVPE 成長における表面エネルギーとファセット形成
A. Kusaba*, Y. Kangawa*, S. Krukowski**, T. Kimura***,****, T. Tanikawa***,****, R.
Katayama***,****, T. Matsuoka***,**** and K. Kakimoto*
*Kyushu University, **UNIPRESS, ***Tohoku University, ****JST-CREST
We1-24
17:31 (2min+poster)
Fabrication and characterization of corundum-type indium oxide (rh-In2O3) thin film by Mist Chemical
Vapor Deposition
ミスト化学気相成長法によるコランダム系酸化インジウム(rh-In2O3)の作製と特性
Y. Suwa and T. Kawaharamura
Kochi University of Technology
We1-25
17:33 (2min+poster)
Dependence of stacking fault generation on orientation of MBE-grown β-Ga2O3
β-Ga2O3 の MBE 成長における積層欠陥発生の面方位依存性
K. Sasaki, A. Kuramata and S. Yamakoshi
Tamura Corporation
We1-26
17:35 (2min+poster)
Thermodynamic and experimental studies on homoepitaxial growth of β-Ga2O3 by halide vapor phase
epitaxy
ハライド気相成長法によるベータ酸化ガリウムのホモエピタキシャル成長と熱力学解析
K. Kawara*, K. Nomura*, K. Goto**, K. Sasaki**,***, Q.-T. Thieu*, R. Togashi*, H. Murakami*, Y.
Kumagai*, M. Higashiwaki***, A. Kuramata**, S. Yamakoshi**, B. Monemar*,**** and A. Koukitu*
*Tokyo University of Agriculture and Technology, **Tamura Corporation, ***National Institute of
Information and Communications Technology, ****Linköping University
We1-27
17:37 (2min+poster)
Oxygen-radical-assisted pulsed-laser deposition of β-Ga2O3-based films
酸素ラジカル支援パルスレーザ堆積法による酸化ガリウム系混晶薄膜の成長
R. Wakabayashi*, T. Oshima*, M. Hattori*, K. Sasaki**, T. Masui**, A. Kuramata**, S. Yamakoshi**, K.
Yoshimatsu* and A. Ohtomo*
*Tokyo Institute of Technology, **Tamura Corporation
We1-28
17:39 (2min+poster)
Electrical and magnetic properties of Sn doped α-(In1-xFex)2O3 alloy thin films
錫ドープ酸化インジウム鉄混晶薄膜の電気的特性及び磁気特性
M．Uchida, K. Akaiwa, K. Kaneko and S. Fujita
Kyoto University
We1-29
17:41 (2min+poster)
Metastable rh-ITO epitaxial films by Mist-CVD method for GaN devices
GaN デバイスに向けたミスト CVD 法による準安定相 rh-ITO エピタキシャル薄膜
H. Nishinaka*, M. Oda**,*** and M. Yoshimoto*
*Kyoto Institute of Technology, **Kyoto University, ***FLOSFIA Inc.
We1-30
17:43 (2min+poster)
Growth condition dependence of Ga-In-O films by mist-CVD
ミスト CVD 法による Ga-In-O 薄膜の成長条件依存性
K. Tanuma, R. Goto, T. Onuma, T. Yamaguchi and T. Honda
Kogakuin University
We1-31
17:45 (2min+poster)
Fabrication of SnOx thin films by mist chemical vapor deposition
ミスト CVD 法による SnOx 薄膜の作製
T. Uchida*, T. Kawaharamura** and S. Fujita*
Kyoto University*, Kochi University of Technology**
We1-32
17:47 (2min+poster)
Fabrication of p-type Cu2O thin films by mist chemical vapor deposition toward photovoltaic applications
ミスト化学気相成長法による太陽電池応用ヘ向けた p 型 Cu2O の作製
T. Ikenoue, M. Miyake and T. Hirato
Kyoto University
Poster Session I (We1) (17:49-19:00)
Dinner (19:00-20:00)
Rump Session (20:00-21:30)
「窒化物半導体材料・デバイスのこれからの展開」
Organizer: T. Araki
(Ritsumeikan University)
R. Katayama (Tohoku University)
Panelists:
M. Arita
T. Kikkawa
T. Takeuchi
H. Hirayama
T. Miyajima
(The University of Tokyo)
(Transphorm Japan)
(Meijo University)
(RIKEN)
(Meijo Univerisity)
オーガナイザ
・荒木 努
・片山 竜二
（立命館大学）
（東北大学）
パネラー
・有田 宗貴
・吉川 俊英
・竹内 哲也
・平山 秀樹
・宮嶋 孝夫
（東京大学）
（トランスフォーム・ジャパン）
（名城大学）
（理研）
（名城大学）
【July 16th, Thursday】
Session Th1: Group-IV Semiconductors and 2D Materials (8:30-10:02)
Chair : H. Tampo (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology)
Th1-1 [Invited] 08:30 (30min+poster)
Current status and prospect for power semiconductor diamond
パワー半導体ダイヤモンドの現状と展望
Y. Koide
National Institute for Materials Scicence
Th1-2 [Invited] 09:00 (30min+poster)
Minimal Fab Concept and the Development
ミニマルファブ構想とその開発
S. Hara*,**, S. Ikeda*,**, H. Maekawa*,** and S. Khumpuang*,**
*National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, **Minimal Fab Development
Association
Th1-3
09:30 (2min+poster)
Decomposition process of organometallic silane precursor in plasma-enhanced chemical vapor deposition
プラズマ励起化学気相成長法における有機シランプリカーサーの分解反応の検討
K. Sato, T. Ishimaru, K. Yamane, H. Sekiguchi, H. Okada and A. Wakahara
Toyohashi University of Technology
Th1-4
09:32 (2min+poster)
Fabrication of vertical Ge nanowires on amorphous substrates by combining Au-seeded chemical-vapor
deposition with Al-induced crystallization
Al 誘起成長と Au シード化学気相成長の重畳による非晶質基板上 Ge ナノワイヤの均一合成
M. Nakata, K. Toko and T. Suemasu
Tsukuba University
Th1-5
09:34 (2min+poster)
Amorphicity modulation effect on Au induced lateral crystallization for amorphous Ge on SiO2
非晶質 Ge 薄膜の Au 誘起成長に及ぼす初期非晶質性変調効果
T. Sakaguchi, M. Hori, K. Moto, M. Yoneoka, K. Takakura and I. Tsunoda
Kumamoto National College of Technology
Th1-6
09:36 (2min+poster)
Au induced lateral crystallization for stressed amorphous Ge on insulating substrate
絶縁膜上における応力印加非晶質 Ge 薄膜の Au 誘起固相成長
K. Kusano*, K. Kudo*, T. Sakai*, S. Motoyama**, Y. Kusuda**, M. Furuta**, N. Naka***, T. Numata***,
K. Takakura* and I. Tsunoda*
*Kumamoto National College of Technology, **SAMCO Inc., ***HORIBA Ltd.
Th1-7
09:38 (2min+poster)
(111) oriented crystal Ge on insulator by low temperature (~ 200 ºC) gold induced crystallization
GIC 法を用いた(111)結晶 Ge 薄膜の低温（200℃以下）形成
K. Kudo, T. Nomitsu, H. Okamoto, K. Takakura and I. Tsunoda
Kumamoto National College of Technology
Th1-8
09:40 (2min+poster)
Formation of (111)-oriented Ge thin films on flexible plastic substrates by metal-induced layer exchange
金属誘起層交換成長法によるフレキシブル基板上 Ge(111)薄膜の形成
N. Oya, K. Toko and T. Suemasu
University of Tsukuba
Th1-9
09:42(2min+poster)
Epitaxial growth of Ge-rich SiGe layers for Ge/SiGe heterojunction avalanche photodiodes on Si
Si 上 Ge/SiGe ヘテロ接合アバランシェフォトダイオードの作製における SiGe 結晶成長の考察
Y. Miyasaka*, T. Hiraki**, K. Okazaki**, K. Takeda**, T. Tsuchizawa**, K. Yamada**, K. Wada* and Y.
Ishikawa*
*The University of Tokyo, **NTT Corporation
Th1-10
09:44 (2min+poster)
Crystallization of GeSn on insulating substrates by lateral solid-phase crystallization technique
レーザー種付けによる GeSn/絶縁基板の横方向固相成長
R. Matsumura, K. Moto, H. Chikita, T. Sadoh, H. Ikenoue and M. Miyao
Kyushu University
Th1-11
09:46 (2min+poster)
Characterization of low-resistivity diamond (100) films fabricated by hot-filament chemical vapor
deposition
熱フィラメント CVD 法で合成した低抵抗ダイヤモンド(100)薄膜の評価
S. Ohmagari*, K. Srimongkon*,**, H. Yamada*, H. Umezawa*, N. Tsubouchi*, A. Chayahara*, S.
Shikata* and Y. Mokuno*
*National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, **Khon Kaen University
Th1-12
09:48 (2min+poster)
Chemical vapor synthesis of fluorescence nano-crystalline diamond for bio-applications
バイオ応用のための蛍光ナノダイヤモンドの化学気相合成
S. Takigawa, R. Kojima, K. Komiya and H. Isshiki
The University of Electro-Communications
Th1-13
09:50 (2min+poster)
Investigations on the properties of nano-polycrystalline diamond synthesized by high pressure and high
temperature technique
高温高圧合成ダイヤモンドの特性評価
K. Hamada, A. Ishikawa, M. Matsushita, F. Ishikawa, H. Ohfuji, T. Shinmei and T. Irifune
Ehime University
Th1-14
09:52 (2min+poster)
Investigation of residual particles on CVD graphene in transfer process
CVD 成長グラフェンの転写プロセスにおけるパーティクル状残渣の調査
T. Yasunishi, Y. Takabayashi, S. Kishimoto, R. Kitaura, H. Shinohara and Y. Ohno
Nagoya University
Th1-15
09:54 (2min+poster)
Formation of graphene lateral superlattices on self-ordered SiC facets
自己形成 SiC ファセット上に形成したグラフェン横方向超格子
S. Tanaka*, K. Fukuma*, K. Morita*, S. Hayashi*, T. Kajiwara*, A. Visikovskiy*, T. Iimori**, K.
Ienaga**, K. Yaji**, K. Nakatsuji**, F. Komori**, H. Tanaka***, A. Kanda***, N. T. Cuong**** and S.
Okada***
*Kyushu University, **The University of Tokyo, ***University of Tsukuba, ****National Institute of
Advanced Industrial Science and Technology
Th1-16
09:56 (2min+poster)
Challenge to the Fabrication of Molybdenum Disulfide (MoS2) Layered Film by Mist Annealing
ミストアニールによる二硫化モリブデン(MoS2)層状膜作製への挑戦
S. Sato, T. Kawaharamura and M. Furuta
Kochi University of Technology
Th1-17
09:58 (2min+poster)
Micro-nano hybrid copper-carbon powder
ミクロ−ナノの銅炭素複合粉
*S. Ohnishi, **K. Nakagawa, *A. Nakasuga, **T. Toriyama and **Y. Kin
*Sekisui Chemical Co., Ltd., **Kansai University
Th1-18
10:00 (2min+poster)
Femtosecond laser irradiation onto the 6H-SiC in different ambient
異なる環境下での 6H-SiC 基板へのフェムト秒レーザー照射
R. Miyagawa and O. Eryu
Nagoya Institute of Technology
Session Th2: III-V and II-VI Materials (10:02-10:26)
Chair : H. Sekiguchi (Toyohashi University of Technology)
Th2-1
10:02 (2min+poster)
Control of thickness and residual impurity inclusion of GaAsN thin films grown by an atomic layer epitaxy
原子層エピタキシー法を用いた GaAsN 膜作成時の膜厚と残留不純物の制御
Y. Yokoyama*, T. Haraguchi, T. Yamauchi, H. Suzuki, T. Ikari and A. Fukuyama
University of Miyazaki
Th2-2
10:04 (2min+poster)
Effects of growth temperature on crystalline quality of high nitrogen composition GaAsPN
高窒素組成 GaAsPN の結晶性における成長温度の影響
S. Mugikura, N. Urakami, K. Yamane, H. Sekiguchi, H. Okada and A. Wakahara
Toyohashi University of Technology
Th2-3
10:06 (2min+poster)
Dislocation reduction in MOVPE-grown InGaAs/GaAs MQWs with GaAs/Ge buffer layers on Si
substrates by thermal cycle annealing
Si 基板上に MOVPE 成長した GaAs/Ge バッファを有する InGaAs/GaAs MQW の熱サイクルアニールに
よる転位低減
R. Nakao, M. Arai, T. Yamamoto and S. Matsuo
NTT Corporation
Th2-4
10:08 (2min+poster)
Effect of Si doping on crystal and electronic band structures in catalyst-free MBE-VLS grown GaAs
nanowires on (111) Si substrates
(111)Si 基板上に無触媒 MBE-VLS 法で成長させた GaAs ナノワイヤの Si ドープによる結晶構造とバンド
構造への影響
M. Nakano*, K. Sugihara*, D. Ohori*, K. Sakai*, M. Yamaguchi**, T. Ikari* and A. Fukuyama*
*University of Miyazaki, **Nagoya University
Th2-5
10:10 (2min+poster)
Temperature dependence photoluminescence of quantum dots grown on (311)B GaAs by molecular beam
epitaxy
分子線エピタキシーによる（311）B GaAs 上に成長した量子ドットのフォトルミネッセンスの温度依存性
X. M. Lu, A. Kawaguchi, N. Kumagai, T. Kitada and T. Isu
Tokushima University
Th2-6
10:12 (2min+poster)
Crystallization of low-temperature-grown InGaAs on InP substrate
InP 基板上低温成長 InGaAs の結晶化
Y. Tominaga*, Y. Kadoya* and H. Morioka**
*Hiroshima University, **Bruker AXS K.K.
Th2-7
10:14 (2min+poster)
Growth and annealing temperature dependences of the position of In atoms in low-temperature-grown
InxGa1-xAs
低温成長 InGaAs 内の In 原子位置の成長温度およびアニール温度両依存性
S. Hirose, Y. Tominaga and Y. Kadoya
Hiroshima University
Th2-8
10:16 (2min+poster)
Formation of GaSb islands on Si(100) with low-temperature grown GaSb layer
低温成長 GaSb 層を用いた Si(100)上 GaSb ドットの形成
R. Machida*, R. Toda*, S. Fujikawa*, S. Hara** and H. I. Fujishiro*
*Tokyo University of Science, **National Institute of Information and Communications Technology
Th2-9
10:18 (2min+poster)
Quantum confined Stark effect of polar and non-polar ZnO/ZnMgO quantum wells grown by MBE
極性および無極性 ZnO/ZnMgO 量子井戸の量子閉じ込めシュタルク効果
T. Abe, T. Motoyama, M. Yamamoto, A. Yamamoto, H. Kasada, K. Ando and K. Ichino
Tottori University
Th2-10
10:20 (2min+poster)
Growth mechanisms of ZnS and ZnO thin films by mist CVD
ミスト CVD 法における ZnS および ZnO 薄膜の成長機構
K. Uno, Y. Yamasaki, P. Gu and I. Tanaka
Wakayama University
Th2-11
10:22 (2min+poster)
Heteroepitaxial growth of nonpolar ZnO/AlN on Si (100) substrate using MnS buffer layer
MnS バッファー層を用いた Si 基板上の非極性 ZnO/AlN ヘテロエピタキシャル成長
T. Nakamura*, T. Nagata*, N. Nguyen*, K. Takahashi**, S.-G. Ri**, K. Ishibashi**, S. Suzuki** and T.
Chikyow*
*National Institute for Materials Scicence, **Comet Inc.
Th2-12
10:24 (2min+poster)
Contribution of excited species in N2/O2 atmospheric pressure plasma to the chemical vapor deposition of
ZnO films
常圧窒素/酸素プラズマ中の活性種が酸化亜鉛薄膜の CVD 成長に及ぼす効果
Y. Nose*, T. Kiguchi*, T. Yoshimura*, A. Ashida*, T. Uehara** and N. Fujimura*
*Osaka Prefecture University, **Sekisui Chemical Co., Ltd.
Break (10:26-10:36)
Poster Session II (Th1, Th2) (10:36-12:00)
Lunch (12:00-13:00)
Session Th3: Characterization and Processes (13:00-14:30)
Chairs : K. Watanabe (National Institute for Materials Scicence), Y. Kangawa (Kyushu University)
Th3-1 [Invited] 13:00 (30min+poster)
Carrier transport in graphene/2D crystal van der Waals junctions
グラフェン/二次元層状化合物ヘテロ接合の作製と量子輸送現象
T. Machida*, T. Yamaguchi*, Y. Inoue*, Y. Sata*, R. Moriya*, S. Morikawa*, M. Arai*, S.
Masubuchi*, K. Watanabe** and T. Taniguchi**
*The University of Tokyo, ** National Institute for Materials Science
Th3-2
13:30 (2min+poster)
Nonradiative recombination paths in AlGaN-related structures and their temperature dependence
AlGaN 系半導体における非輻射再結合経路とその温度変化
S. Ichikawa*, M. Funato*, Y. Iwasaki** and Y. Kawakami*
*Kyoto University, **JFE Mineral Co., Ltd.
Th3-3
13:32 (2min+poster)
Carrier dynamics in regularly arrayed InGaN/GaN nanocolumns
規則配列 InGaN/GaN ナノコラムにおけるキャリアダイナミクス
T. Oto, Y. Mizuno, R. Miyagawa, T. Kano, J. Yoshida and K. Kishino
Sophia University
Th3-4
13:34 (2min+poster)
Effect of excitation power density on photoluminescence from n+-Ge on Si
Si 上 n 型 Ge のフォトルミネセンスにおける励起光強度密度の影響
N. Higashitarumizu and Y. Ishikawa
The University of Tokyo
Th3-5
13:36 (2min+poster)
Quantum levels in Ge nanodisk array structure fabricated by nano-protein-mask and neutral beam etching
investigated by a photoluminescence technique
ナノプロテインマスクと中性粒子ビームで作製された Ge ナノディスク構造中のフォトルミネッセンスによる
量子準位の評価
D. Ohori*, K. Kondo*, T. Fujii**, T. Okada**, S. Samukawa**, T. Ikari* and A. Fukuyama*
*University of Miyazaki, **Tohoku University
Th3-6
13:38 (2min+poster)
Semiconductor/oxide composite nanowires providing white luminescence
白色発光する半導体/酸化物複合ナノワイヤ
F. Ishikawa* and Naoki Yamamoto**
*Ehime University, **Tokyo Institute of Technology
Th3-7
13:40 (2min+poster)
Characterization of GaN single crystal using THz ellipsometry
テラヘルツエリプソメとリーを用いた GaN 単結晶の評価
K. Tachi*, T. Fujii*,**, T. Araki*, Y. Nanishi*, T. Nagashima***, T. Iwamoto**, Y. Sato**, N.
Morita****, R. Sugie****and S. Kamiyama*****
*Ritsumeikan University, **Nippo Precision Co., Ltd., ***Setsunan University, ****Toray Research
Center Inc., *****Meijo University
Th3-8
13:42 (2min+poster)
Polarized Raman scattering of martensitic transformed wurtzite BN
マルテンサイト転移によるウルツ鉱型窒化ホウ素の偏光ラマン散乱測定
K. Watanabe and T. Taniguchi
National Institute for Materials Science
Th3-9
13:44 (2min+poster)
Temperature dependence of Hall scattering factor in p-type 4H-SiC with various doping concentrations
様々なドーピング密度を有する p 型 4H-SiC のホール散乱因子の温度依存性
S. Asada, T. Okuda, T. Kimoto and J. Suda
Kyoto University
Th3-10
13:46 (2min+poster)
Dielectric breakdown process of hexagonal boron nitride film
六方晶ボロンナイトライドの絶縁破壊プロセス
Y. Hattori*, T. Taniguchi**, K. Watanabe** and K. Nagashio*,***
*The University of Tokyo, ** National Institute for Materials Science, ***PRESTO-JST
Th3-11
13:48 (2min+poster)
Paramagnetic defects in oxide semiconductor films deposited by RF magnetron sputtering
RF マグネトロンスパッタリング法によって成膜された酸化物半導体薄膜中に導入された常磁性欠陥
T. Matsuda and M. Kimura
Ryukoku University
Th3-12
13:50 (2min+poster)
Gate-voltage manipulation of spin signal in ferromagnetic metal/ three dimensional topological insulator
ゲート電圧印加による三次元トポロジカル絶縁体のヘリカルカレント制御に関する研究
R. Kumamoto*, Y. Ando*, T. Hamasaki**, F. Yang**, M. Novak**, S. Sasaki**, K. Segawa**, Y. Ando**
and M. Shiraishi*
*Kyoto University, **Osaka University
Th3-13
13:52 (2min+poster)
Large thermopower of GaMnAs
ガリウムマンガン砒素の巨大熱電能
K. Arakawa, Y. Taketomi, J. Yamagami, S. Kaku and J. Yoshino
Tokyo Institute of Technology
Th3-14
13:54 (2min+poster)
Thermoelectric measurement of GaSb/InAs/AlSb superlattices
GaSb/InAs/AlSb 超格子の熱電測定
Y. Taketomi, K. Arakawa, J. Yamagami, S. Kaku and J. Yoshino
Tokyo Institute of Technology
Th3-15
13:56 (2min+poster)
Annealing effects on the delocalized electronic states of epitaxial two-dimensional nitrogen atomic sheet in
GaAs
GaAs 中のエピタキシャル 2 次元窒素シートにおける非局在電子状態への熱処理効果
Y. Ogawa, Y. Harada, T. Baba, T. Kaizu and T. Kita
Kobe University
Th3-16
13:58 (2min+poster)
Type-I band alignment at β-(AlxGa1-x)2O3/β-Ga2O3 heterojunctions
β-(AlxGa1-x)2O3/β-Ga2O3 ヘテロ接合におけるタイプ I 型バンドラインナップ
T. Oshima*, M. Hattori*, R. Wakabayashi*, K. Sasaki**, T. Masui**, A. Kuramata**, S. Yamakoshi**, K.
Horiba***, H. Kumigashira***, K. Yoshimatsu* and A. Ohtomo*
*Tokyo Institute of Technology, **Tamura Corporation, ***High Energy Accelerator Research
Organization
Th3-17
14:00 (2min+poster)
Electronic structures of bilayer hexagonal boron nitride under vertical electric field
電界下の 2 原子層六方晶窒化ホウ素の電子構造
Y. Ota
Tokyo Metropolitan Industrial Technology Research Institute
Th3-18
14:02 (2min+poster)
Epitaxial growth of (α’’+α’)-Fe-N films by molecular beam epitaxy and their saturation magnetizations
MBE 法による(α’’+α’)-Fe-N 薄膜のエピタキシャル成長と飽和磁化の評価
S. Higashikozono*, K. Ito*,**, T. Gushi*, K. Toko* and T. Suemasu*
*University of Tsukuba, **Tohoku University
Th3-19
14:04 (2min+poster)
Effect of thermal annealing on optical characteristics of Eu- and Mg-codoped GaN
Eu,Mg 共添加 GaN の熱処理による光学特性への影響
H. Tateishi, H. Sekiguchi, M. Kanemoto, K. Yamane, H. Okada and A. Wakahara
Toyohashi University of Technology
Th3-20
14:06 (2min+poster)
Growth of Eu doped GaN nanocolumns
Eu 添加 GaN ナノコラムの成長
S. Nishikawa, H. Sekiguchi, T. Imanishi, K. Yamane, H. Okada and A. Wakahara
Toyohashi University of Technology
Th3-21
14:08 (2min+poster)
The mechanism of emission enhancement from Eu-doped GaN by in-plane compressive strain
面内圧縮ひずみによる Eu 添加 GaN の高発光効率化のメカニズム
T. Inaba, A. Koizumi and Y. Fujiwara
Osaka University
Th3-22
14:10 (2min+poster)
Luminescence properties of Eu-doped InxGa1-xN grown by organometallic vapor-phase epitaxy
OMVPE 法により作製した Eu 添加 InxGa1-xN の発光特性
A. Koizumi, S. Yamanaka, M. Matsuda and Y. Fujiwara
Osaka University
Th3-23
14:12 (2min+poster)
Heterogeneous integration of InGaAsP/InP-buried heterostructure and Si waveguide using InP growth on
InP membrane bonded to Si substrate
Si 上 InP 薄膜への結晶成長による InGaAsP/InP 埋込みヘテロ構造の Si 細線上集積
T. Fujii, K. Takeda, H. Nishi., K. Hasebe, T. Kakitsuka, T. Tsuchizawa, A. Shinya, T. Yamamoto and S.
Matsuo
NTT Corporation
Th3-24
14:14 (2min+poster)
Fabrication of Si/SiO2/GaN-LED wafer using surface activated bonding
表面活性化接合による Si/SiO2/GaN-LED 基板の作製
K. Tsuchiyama, K. Yamane, H. Sekiguchi, H. Okada and A.Wakahara
Toyohashi University of Technology
Th3-25
14:16 (2min+poster)
Inductively coupled plasma reactive ion etching of GaN and InN
誘導結合型プラズマ反応性イオンエッチングによる GaN および InN エッチング
K. Narutani*, T. Yamaguchi*, T. Araki**, Y. Nanishi**, T. Onuma* and T. Honda*
*Kogakuin University, **Ritsumeikan University
Th3-26
14:18 (2min+poster)
Enhancement of carrier lifetimes in p-type 4H-SiC epitaxial layers
p 型エピタキシャル層におけるキャリア寿命の向上
T. Okuda*, T. Miyazawa**, H. Tsuchida**, T. Kimoto* and J. Suda*
*Kyoto University, **Central Research Institute of Electric Power Industry
Th3-27
14:20 (2min+poster)
Investigation of correlation between fixed charge state and chemical-bonding state of Sr2SiO4 film on
Si(100) substrate
Si(100)基板上の Sr2SiO4 薄膜における固定電荷状態と化学結合状態の相関に関する調査
S. Taniwaki*, Y. Hotta*,**, H. Yoshida*,**, K. Arafune*,**, A. Ogura*,*** and S. Satoh*,**
*University of Hyogo, **JST-CREST, ***Meiji University
Th3-28
14:22 (2min+poster)
Micro-scale analysis of SiC layer by carbonization of Si substrates
Si 表面炭化による SiC 層の微細構造解析
M. Deura, Y. Ohno, H. Fukuyama and I. Yonenaga
Tohoku University
Th3-29
14:24 (2min+poster)
STM study of impurity states induced by Cr atoms in ZnTe(110) surface
ZnTe(110)表面上に吸着した Cr が形成する不純物状態の STM 研究
K. Kanazawa, T. Nishimura, S. Yoshida, H. Shigekawa and S. Kuroda
University of Tsukuba
Th3-30
14:26 (2min+poster)
Novel rare earth doping using surface re-construction of Ce doped Si films
Ce 添加 Si 薄膜における再構成表面を利用した新規な希土類元素ドーピング
Y. Miyata, K. Ueno, T. Yoshimura, A. Ashida and N. Fujimura
Osaka Prefecture University
Th3-31
14:28 (2min+poster)
Investigation of surface potential distribution in polycrystalline BaSi2 thin-films by RF sputtering
RF スパッタ法により作製した多結晶 BaSi2 薄膜の表面ポテンシャル分布評価
S. Yokoyama*, N. A. A. Latiff*, M. Baba*, M. Mesuda**, H. Kuramochi**, K. Toko* and T.
Suemasu*,***
*University of Tsukuba, **Tosoh Corporation, ***JST-CREST
Break (14:30-14:40)
Session Th4: Optical Devices (14:40-15:50)
Chairs : T. Tsuchiya (Hitachi Ltd.), F. Ishikawa (Ehime University)
Th4-1 [Invited] 14:40 (30min+poster)
Development of microbolometer-type uncooled infrared and terahertz focal plane arrays and
imagers
室温動作のボロメータ型赤外線・テラヘルツ波アレイセンサとカメラの開発
N. Oda
NEC Corporation
Th4-2
15:10 (2min+poster)
Absorption coefficient of superlattice solar cell at high-temperatures
高温時における超格子太陽電池の吸収係数
J. Nishinaga*,**, A. Kawaharazuka** and Y. Horikoshi**
*National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, **Waseda University
Th4-3
15:12 (2min+poster)
Photo-assisted impedance spectroscopy for quantum dot solar cell
光刺激インピーダンス分光法による量子ドット太陽電池の評価
T. Hoshii, S. Naitoh and Y. Okada
The University of Tokyo
Th4-4
15:14 (2min+poster)
Carrier time-of-flight spectroscopy with infrared assistance for escaping process in InAs/GaAs quantum dot
solar cells
InAs/GaAs 量子ドット太陽電池における赤外光誘起脱出過程を伴うキャリア走行時間分光測定
T. Tanibuchi, T. Kada, N. Kasamatsu, S. Asahi and T. Kita
Kobe University
Th4-5
15:16 (2min+poster)
Excitation-intensity dependence of two-step photoexcitation in InAs/GaAs/Al0.3Ga0.7As intermediate-band
solar cells
InAs/GaAs/Al0.3Ga0.7As 中間バンド型太陽電池における 2 段階光励起の励起光強度依存性
S. Asahi, H. Teranishi, N. Kasamatsu, T. Kada, T. Kaizu and T. Kita
Kobe University
Th4-6
15:18 (2min+poster)
Hot-carrier distribution in InAs/GaAs quantum dot superlattices and its application to solar cells
InAs/GaAs 量子ドット超格子内のホットキャリア分布と太陽電池への応用
D. Watanabe, N. Kasamatsu, Y. Harada and T. Kita
Kobe University
Th4-7
15:20 (2min+poster)
Fabrication of perovskite/c-Si structure for a monolithic tandem photovoltaic cell
ペロブスカイト/結晶シリコン構造のモノリシックタンデム太陽電池に向けた作製
T. Matsuda*, T. Nakamura*, Y. Tateishi*, K. Yamashita*, S. Shamsudin** and T. Kita**
*Kyoto Institute of Technology, **Kobe University
Th4-8
15:22 (2min+poster)
1.5-μm-band infrared photodetector with selectively-grown InGaAs microdisk on Si
Si 上 InGaAs マイクロディスクを用いた 1.5μm 帯赤外線センサーの作製
T. Watanabe, Y. Nakano and M. Sugiyama
The University of Tokyo
Th4-9
15:24 (2min+poster)
Development of organic-inorganic hybrid UV-APDs using ZnSSe active layer with long lifetime and
integration
ZnSSe 系有機無機ハイブリッド型紫外 APD の長寿命化と集積化
S. Uchida, K. Tanaka, R. Inoue, T. Fujimoto, A. Tazue, T. Abe, H. Kasada, K. Ando and K. Ichino
Tottori University
Th4-10
15:26 (2min+poster)
In-plane photoconductivity of InAs QDs layers embedded in strain-relaxed InGaAs barriers
歪緩和 InGaAs 層に埋め込んだ InAs 量子ドットの面内光伝導
K. Murakumo, N. Kumagai, T. Kitada and T. Isu
Tokushima University
Th4-11
15:28 (2min+poster)
Vertical pairing control of densely-stacked self-assembled quantum dot for high gain laser
高利得レーザ用自己組織化量子ドットの垂直ペアリング制御
T. Kageyama, Q. H. Vo, K. Watanabe, S. Iwamoto and Y. Arakawa
The University of Tokyo
Th4-12
15:30 (2min+poster)
Fabrication of two-color surface emitting laser of coupled cavity structure formed by wafer-bonding
ウエハ接合で形成した結合共振器構造をもつ 2 波長面発光レーザの作製
H. Ota, C. Harayama, T. Maekawa, X. M. Lu, N. Kumagai, T. Kitada and T. Isu
Tokushima University
Th4-13
15:32 (2min+poster)
Two-color emission from coupled cavity structure including InAs QDs formed by wafer bonding
ウェハー接合による InAs 量子ドットを含む結合共振器構造の二波長発光
T. Maekawa, C. Harayama, H. Ota, T. Kitada, X. M. Lu, N. Kumagai and T. Isu
Tokushima University
Th4-14
15:34 (2min+poster)
Fine tuning of resonant frequency in the photonic crystal L3 defect
フォトニック結晶 L3 欠陥共振器の共振周波数制御
T. Okada, T. Hino, R. Tezuka, S. Kasamatsu, M. Morifuji and M. Kondow
Osaka University
Th4-15
15:36 (2min+poster)
Fabrication and electrical measurements of a current confinement structure for photonic crystal laser
フォトニック結晶半導体レーザを目指した電流狭窄構造の作製および電気測定
S. Oka, S. Yamauchi, T. Okada, T. Hino, M. Morifuji and M. Kondow
Osaka University
Th4-16
15:38 (2min+poster)
Waveguide-type two-dimensional photonic crystal laser having InAs quantum dots in active region
InAs 量子ドットを活性領域に有する導波型二次元フォトニック結晶レーザに関する研究
T. Hino, R. Tezuka, S. Kasamatsu, X. Zhang, M. Morifuji and M. Kondow
Osaka University
Th4-17
15:40 (2min+poster)
Light propagation of ErxY2-xSiO5-rod photonic crystal waveguide
ErxY2-xSiO5 結晶を円柱に用いたフォトニック結晶導波路の光伝搬
G. Nakamura and H. Isshiki
The University of Electro-Communications
Th4-18
15:42 (2min+poster)
Analysis of coupling characteristics of paralleled horizontal waveguides in stacked-stripe three dimensional
photonic crystal
3 次元フォトニック結晶における並列水平導波路の結合特性解析
K. Gondaira, K. Ishizaki, K. Kitano, T. Asano and S. Noda.
Kyoto University
Th4-19
15:44 (2min+poster)
The influence of three-dimensional air-hole shapes on characteristics of photonic-crystal surface-emitting
lasers
3 次元空孔形状がフォトニック結晶レーザの特性に与える影響
M. Nishimoto*, K. Maekawa*, K. Ishizaki*, K. Kitamura** and S. Noda*
*Kyoto University, **Kyoto Institute of Technology
Th4-20
15:46 (2min+poster)
Design and fabrication of SiC nanobeam photonic crystal cavities
SiC ナノビーム構造フォトニック結晶共振器の設計と作製
Y. Yamaguchi*, S.-W. Jeon*, B.-S. Song*,**, Y. Tanaka*, T. Asano* and S. Noda*
*Kyoto University, **Sungkyunkwan University
Th4-21
15:48 (2min+poster)
Radiative transition enhancement in ErxY2-xSiO5 slot structure fabricated by sol-gel method
ゾルゲル法による ErxY2-xSiO5 スロット導波路の発光遷移確率の増大
Y. Tsuyuki, G. Nakamura, F. Kondo and H. Isshiki
The University of Electro-Communications
Break (15:50-16:00)
Poster Session III (Th3, Th4) (16:00-18:30)
Break (18:30-19:00)
Banquet (19:00-21:00)
【July 17th, Friday】
Session Fr1: Transport and Devices (8:30-10:12)
Chair : M. Kitamura (Kobe University)
Fr1-1
08:30 (2min+poster)
Simulation study on a novel structure of +c plane InGaN solar cell
シミュレーションによる+c 面上 InGaN 太陽電池の新規構造の検討
A. Nakamura, K. Fujii, M. Sugiyama and Y. Nakano
The Univerisy of Tokyo
Fr1-2
08:32 (2min+poster)
Bandgap engineering for efficient two-step photon absorption in InGaAs quantum dot solar cells
バンドギャップ制御による InGaAs 量子ドット太陽電池における高効率２段階光吸収
R. Tamaki, Y. Shoji, Y. Okada and K. Miyano
The University of Tokyo
Fr1-3
08:34 (2min+poster)
Effects of sequential tunneling between intermediate states on performance of intermediate band solar cells
Sequential Tunneling による中間バンド太陽電池特性への影響
K. Yoshida*, Y. Okada* and N. Sano**
*The University of Tokyo, **University of Tsukuba
Fr1-4
08:36 (2min+poster)
Effect of infrared light concentration on Si-doped InAs quantum dot solar cell
Si ドープした InAs 量子ドットへの赤外光集光効果
S. Naitoh, N. Miyashita, T. Hoshii and Y. Okada
The University of Tokyo
Fr1-5
08:38 (2min+poster)
Analysis of electron and hole mobilities in quantum well solar cells using a carrier time-of-flight technique
キャリア走行時間測定法を用いた量子井戸太陽電池内の電子と正孔の移動度の解析
K. Toprasertpong*, T. Tanibuchi**, H. Fujii*, T. Kada**, S. Asahi**, K. Watanabe*, M. Sugiyama*, T.
Kita** and Y. Nakano*
*The University of Tokyo, **Kobe University
Fr1-6
08:40 (2min+poster)
Bio-sensing operation based on optical microcavities of GaN nanorings grown by radio-frequency plasma
assisted molecular beam epitaxy
分子線エピタキシー法により成長した GaN ナノリング微小光共振器によるバイオセンシング動作
H. Takeshima*, T. Kouno*, M. Sakai**, K. Kishino*** and K. Hara*
Shizuoka University, University of Yamanashi**, Sophia University***
Fr1-7
08:42 (2min+poster)
Fabrication of MEMS optical switches made of single-crystalline 4H-SiC
単結晶 4H-SiC からなる MEMS 光スイッチの作製
N. Yamashita, K. Sato, T. Kimoto and J. Suda
Kyoto University
Fr1-8
08:44 (2min+poster)
UV-light driven piezoelectric thin-film actuators
UV 光駆動圧電薄膜アクチュエータの作製
F. Kurokawa, Y. Oochi, A. Sadanda, Y. Tsujiura, H. Hida and I. Kanno
Kobe University
Fr1-9
08:46 (2min+poster)
Piezoelectric MEMS vibrational energy harvesters using BiFeO3 films
BiFeO3 薄膜を用いた圧電 MEMS 振動発電
T. Yoshimura*, K. Kariya*, N. Fujimura* and S. Murakami**
*Osaka Prefecture University, **Technology Research Institute of Osaka Prefecture
Fr1-10
08:48 (2min+poster)
Dynamical spin injection into a two-dimensional electron gas in an AlGaAs/GaAs structure
AlGaAs/GaAs 逆 HEMT 構造における二次元電子系への動力学スピン注入の研究
K. Ohtomo*, Y. Ando*, T. Shinjo*, T. Uemura** and M. Shiraishi*.
*Kyoto University, **Hokkaido University.
Fr1-11
08:50 (2min+poster)
Width dependence of threshold current density for domain wall motion in Co/Ni wire
Co/Ni 細線における磁壁移動しきい電流密度の細線幅依存性
T. Iwabuchi, S. Fukami and H. Ohno
Tohoku University
Fr1-12
08:52 (2min+poster)
Fabrication of highly ordered Co2Fe0.4Mn0.6Si Heusler alloys on Si substrate
Si 基板上への高規則 Co2Fe0.4Mn0.6Si ホイスラー合金薄膜の作製
T. Koike, M. Oogane, A. Ono and Y. Ando
Tohoku University
Fr1-13
08:54 (2min+poster)
O2 exposure dependence of perpendicular magnetic anisotropy at Co2FeSi/MgO interfaces
Co2FeSi/MgO 界面における垂直磁気異方性の酸素曝露依存性
K. Shinohara, Y. Takamura and S. Nakagawa
Tokyo Institute of Technology
Fr1-14
08:56 (2min+poster)
Half-metallic nature evaluation of full-Heusler Co2FeSi alloy films using anisotropic magnetoresistance
effect
異方性磁気抵抗効果を用いたフルホイスラー合金 Co2FeSi 薄膜のハーフメタル性評価
M. Sampei, Y. Takamura and S. Nakagawa
Tokyo Institute of Technology
Fr1-15
08:58 (2min+poster)
Junction size dependence of switching current in CoFeB-MgO magnetic tunnel junctions with
perpendicular easy axis
CoFeB-MgO 垂直磁化容易磁気トンネル接合におけるスイッチング電流の接合サイズ依存性
N. Ohshima, S. Kubota, H. Sato, S. Fukami, F. Matsukura and H. Ohno
Tohoku University
Fr1-16
09:00 (2min+poster)
Electron transport properties of InGaSb quantum well structure
InGaSb 量子井戸構造の電子輸送特性
Y. Harada, K. Isono, T. Taketsuru, H. Suzuki, S. Katou, D. Tsuji, S. Fujikawa and H. I. Fujishiro
Tokyo University of Science
Fr1-17
09:02 (2min+poster)
Interface characteristics and a doping technique for epitaxial layer transfer III-V field-effect transistors on
Si/SiO2 substrates
転写法によって形成した Si/SiO2 基板上 III-V 族トランジスタの界面解析とドーピング技術
K. Takei*,**, R. Kapadia**, H. Fang** and A. Javey**
*Osaka Prefecture University, **University of California, Berkeley
Fr1-18
09:04 (2min+poster)
Characterization of radiation detection for GaN semiconductor material
GaN 半導体材料における放射線検出の特性評価
M. Sugiura*, M. Kushimoto**, T. Mitsunari**, K. Yamashita**, Y. Honda**, H. Amano**,Y. Inoue*, H.
Mimura*, T. Aoki* and T. Nakano*
*Shizuoka University, **Nagoya University
Fr1-19
09:06 (2min+poster)
Investigation of the radiation tolerance of carbon doped Si0.25Ge0.75/Si hetero junction diode by 2 MeV
electrons
SiGeC ヘテロ接合ダイオードの放射線耐性に関する研究
H. Ogata*, K. Takakura*, I. Tsunoda*, E. Simoen** and C. Claeys**
*Kumamoto National College of Technology, **imec
Fr1-20
09:08 (2min+poster)
A study on the influence of BOX layer for SOI FinFETs by electron irradiation
電子線照射による SOIFinFET の BOX 層の影響に関する研究
M. Izawa*, T. Goto*, K. Iseri*, M. Yoneoka*, K. Takakura*, I. Tsunoda*, E. Simoen** and C.
Claeys**,***
*Kumamoto National College of Technology, **imec, ***KU Leuven
Fr1-21
09:10 (2min+poster)
Comparative evaluation of radiation characteristics of Si MOSFETs with C and Ge addition in S/D
炭素及びゲルマニウム添加 SiMOSFET の放射特性比較
H. Ito*, M. Hori*, M. Yoneoka*, I. Tsunoda*, K. Takakura* E. Simoen** and C. Claeys**
*Kumamoto National College of Technology, **imec
Fr1-22
09:12 (2min+poster)
Effect of radiation induced charged oxide traps to electrical properties of UTBOX SOI nFETs
電子線照射による酸化物の電荷獲得が UTBOX SOI nFET の電気特性に与える影響
K. Iseri*, T. Goto**, M. Yoneoka*, I. Tsunoda*, K. Takakura*, E. Simoen*** and C. Claeys***, ****
*Kumamoto National College of Technology, ***imec, ****KU Leuven
Fr1-23
09:14 (2min+poster)
Fabrication of α-Ga2O3 MOSFET and its electrical properties
アルファ酸化ガリウムを用いた MOSFET の作製とその電気特性評価
J. Jinno, Y. Ito, K. Akaiwa, K. Kaneko and S. Fujita
Kyoto University
Fr1-24
09:16 (2min+poster)
Transport characteristics of B co-doped Si:Ce films
B 共添加 Si:Ce 薄膜の輸送特性
Y. Miyata, K. Ueno, T. Yoshimura, A. Ashida and N. Fujimura
Osaka Prefecture University
Fr1-25
09:18 (2min+poster)
Nanoscale correlated oxides for electronic phase change electronics
強相関酸化物ナノ構造による電子相変化エレクトロニクス
H. Tanaka, A. N. Hattori and T. Kanki
Osaka University
Fr1-26
09:20 (2min+poster)
Nano-scaled conductive propeties in VO2 nanowires
二酸化バナジウムナノワイヤーにおけるナノスケール電気伝導特性
K. Sakai, A. N Hattori, T. Kanki and H. Tanaka
Osaka University
Fr1-27
09:22 (2min+poster)
Drastic conductivity change on the strongly correlated (La,Pr,Ca)MnO3 nanowire corresponding to
phase-separated nanodomain dynamics
単一電子相の相転移に由来する(La,Pr,Ca)MnO3 ナノ細線構造での超巨大抵抗変化
A. N. Hattori, T. V. A. Nguyen, T. Nakamura, M. Nagai, M. Ashida and H. Tanaka
Osaka University
Fr1-28
09:24 (2min+poster)
Flexible and stretchable thin-film transistors and inverter based on transition metal dichalcogenides
遷移金属ダイカルコゲナイドを用いた柔軟性・伸縮性を有するトランジスタ及びインバータ
J. Pu*, K. Funahashi*, L.-J. Li** and T. Takenobu*
*Waseda University, **King Abdullah University of Science and Technology
Fr1-29
09:26 (2min+poster)
Electrical contact of carbon nanotube and silicon carbide interface
カーボンナノチューブ／シリコンカーバイド界面の電気的接触
M. Inaba*, K. Suzuki*, Y. Hirano*, W. Norimatsu**, M. Kusunoki** and H. Kawarada*
*Waseda University, **Nagoya University
Fr1-30
09:28 (2min+poster)
Statistic investigation of characteristic variation in carbon nanotube thin-film transistors
カーボンナノチューブ薄膜トランジスタの特性ばらつきに関する統計調査
J. Hirotani, R. Matsui, S. Kishimoto and Y. Ohno
Nagoya University
Fr1-31
09:30 (2min+poster)
Improvement of the field-effect mobility and electrical stability of solution-processable organic transistors
using a top-gate configuration
溶液プロセス有機トランジスタのトップゲート構造を用いた電界効果移動度と電気的安定性の改善
T. Nagase, K. Takagi, T. Kobayashi and H. Naito
Osaka Prefecture University
Fr1-32
09:32 (2min+poster)
Solution-processed n-channel top-gate organic transistors with high mobility and high electrical stability
塗布プロセスで高移動度、安定な n 型トップゲート有機トランジスタ
Y. Suenaga, T. Nagase, T. Kobayashi and H. Naito
Osaka Prefecture University
Fr1-33
09:34 (2min+poster)
Threshold voltage control in p-channel organic transistor by oxygen plasma treatment
酸素プラズマ処理によるＰチャネル有機トランジスタの閾値電圧制御
A. Kitani*, Y. Kimura*, M. Kitamura*,** and Y. Arakawa**
*Kobe University, **The University of Tokyo
Fr1-34
09:36 (2min+poster)
AC transport characteristics of a Au/DNTT/Al Schottky diode
Au/DNTT/Al ショットキーダイオードの AC 伝導特性
T. Hayashi*, A. Fujiwara*, R. Shidachi**, T. Yokota**,*** and T. Someya**,***
*NTT Coporation, **The University of Tokyo, ***JST-ERATO
Fr1-35
09:38 (2min+poster)
Annealing effect on the electrical properties in fluorinated copper phthalocyanine films for organic
photovoltaic applications
有機太陽電池応用に向けたフッ素化銅フタロシアニン膜の電気的特性へのアニール効果
Y. Kuzumoto*, S. Mizuka** and M. Kitamura**,***
*Sharp Corporation, **Kobe University, ***The University of Tokyo
Fr1-36
09:40 (2min+poster)
Physical properties of metal surfaces modified with substituted-benzenethiol
ベンゼンチオール誘導体修飾された金属表面の物性評価
S. Tatara*, Y. Kuzumoto** and M. Kitamura*,***
*Kobe University, **Sharp Corporation, ***The University of Tokyo
Fr1-37 [Invited] 09:42 (30min+poster)
Flexible organic devices for medical bio applications
フレキシブル有機デバイスの生体センシング応用
T. Yokota, T. Sekitani and T. Someya
The University of Tokyo
Break (10:12-10:22)
Poster Session IV (Fr1) (10:22-12:00)
Lunch (12:00-13:00)
Special Session (13:00-16:10)
“Silicon Photonics －Future Prospects of Silicon-based Photodevices－”
「シリコンフォトニクス －シリコンを利用する光デバイスの可能性－」
Chair : Y. Ishikawa (The University of Tokyo)
Introduction 13:00 (5min)
Y. Ishikawa
The University of Tokyo
Lecture
13:05 (85min+poster)
Silicon photonics for high-performance photonics-electronics integration
シリコンフォトニクスの現状と将来展望
K. Yamada
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Break (14:30-14:40)
SP-1 [Invited] 14:40 (30min+poster)
Low-threshold Si Raman lasers based on phonic crystal nanocavities
フォトニック結晶共振器を用いた低閾値シリコンラマンレーザー
T. Asano*, D. Yamashita**, Y. Takahashi** and S. Noda*
*Kyoto University, **Osaka Prefecture University
SP-2 [Invited] 15:10 (30min+poster)
High density and athermal optical interconnection among LSI chips
LSI チップ間接続に向けた高密度・アサーマル光インターコネクション技術
T. Nakamura*, Y. Urino* and Y. Arakawa**
*PETRA, **The University of Tokyo
SP-3 [Invited] 15:40 (30min+poster)
III-V/Si heterogeneous integration technology toward photonic integrated circuit
光集積回路を目指した III-V 族/Si 異種基板集積技術
N. Nishiyama and S. Arai
Tokyo Institute of Technology
Closing Session (16:10-16:20)
【講演者へのご案内】
① 京都駅→堅田駅(JR 湖西線)
（招待講演，スペシャルセッション）
堅田駅→ラフォーレ琵琶湖（路線バス：片道 250 円)
堅田駅 2 番乗り場より出発
招待講演，スペシャルセッション(レクチャー含む)は口頭講演です．
講演は，液晶プロジェクターでお願いできれば幸いです．PC をご持
参いただくか，PC を会場にも用意いたしますのでご利用下さい．
なお，招待講演，レクチャーおよびスペシャルセッションの講演者
にもポスター会場に掲示スペースを用意しておりますので，是非ポス
ターあるいは講演スライドのコピーなどを掲示願います．特にポスタ
ーセッションの時間帯は決めておりませんが，会期中参加者の皆様
との討論にご活用いただければ幸いです．
（一般講演）
一般講演は， 2 分間のショートプレゼンテーション(交代時間含む)
と，ポスター発表からなります．
［ショートプレゼンテーション］
視認性向上，講演者交代の迅速化を目的として液晶プロジェクタ
ーにより実施します．講演時間 2 分は交代時間を含むため，ベルの
鳴るタイミングを，１鈴 1 分 30 秒，2 鈴 1 分 50 秒で速やかに終了，と
させて頂きますので，ご協力をお願いいたします．
交代時間節約のため，事前に，EMS ホームページにて，講演スラ
イドを PDF 形式にて提出して頂きます．詳細は EMS ホームページを
ご覧ください．（http://ems.jpn.org/）
［ポスターセッション］
1. ショートプレゼンテーションの番号に対応
するポスターセッションでご発表をお願い
します．著者の方は，指定された時間中
は，ポスターのところでご説明をお願い致
します．
2. 来場次第，講演番号で指定された場所に
掲示をお願いします．ポスターは会期中
を通じ，掲示して下さい．
3. 掲示スペースは A0 サイズ（縦 118.4 cm×横 84.1 cm ）が 1 枚
です．形状等は下記 URL を参考にして下さい．
http://ems.jpn.org/index.php?PosterBoard
ポスター会場は会期中を通してオープンにしていますので，ポス
ター発表が同じ時間帯の方との討論などにご活用下さい．
【ＥＭＳ賞】
本シンポジウムでは，平成 9 年の第 16 回から優れた研究発表をな
された，あるいは討論等によりこの会議を盛り上げていただいた，原
則として 35 才以下の若手研究者を対象として EMS 賞を授与していま
す．資格などの詳しい内容は会議初日にアナウンスし，受賞者の発
表および授与式は最終日に行います．論文発表に加えて，formal あ
るいは informal な討論の場にも是非，積極的に参加して頂き，大い
に会議を盛り上げて頂けますようお願い申し上げます．
【会場】
ラフォーレ琵琶湖
〒524-0101 滋賀県守山市今浜町十軒家 2876
TEL：077-585-3811, FAX：077-584-2100
http://www.laforet.co.jp/lfhotels/biw/index.html
約 25 分(4-5 本/1 時間)
約 20 分
[バス時刻表] （堅田駅 ⇔ ラフォーレ琵琶湖）
堅田駅⇒ラフォーレ琵琶湖（江若交通バス，近江鉄道バス）
時 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
分 48* 14 11 15
10* 00* 26 10*
15*
27 24 32
42*
44
55*
59*
ラフォーレ琵琶湖⇒堅田駅（江若交通バス，近江鉄道バス）
時 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
分 04* 27 31
26* 16* 00 26* 11* 31* 15* 43 40 48
42
30
58*
*
印: 近江鉄道バスによる運行
② 京都駅→守山駅(JR 琵琶湖線)
約 30 分(6-7 本/1 時間)
守山駅→ラフォーレ琵琶湖(路線バス：片道 510 円)
守山駅西口 1 番バス乗り場より出発
[バス時刻表] （守山駅 ⇔ ラフォーレ琵琶湖）
約 40 分
守山駅⇒ラフォーレ琵琶湖（近江鉄道バス）
時 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
分 10 30* 30 30 15 15* 45 45 45 45 46 46 46 41 46 18
23
00
ラフォーレ琵琶湖⇒守山駅（近江鉄道バス）
時 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
分 08 15
01* 01*
00* 16 16* 16* 18* 20 20 17
25 45
46
55
*
印: 免許センター・運輸支局・佐川美術館経由
2015 年 5 月 7 日現在
詳しくは http://www.laforet.co.jp/lfhotels/biw/access.html をご
覧下さい．また，開催と終了に合わせて堅田駅⇔ラフォーレ琵琶湖
にて送迎バスをご用意する予定です．
［ラフォーレ琵琶湖 交通案内図］
【問い合わせ先】
電子材料シンポジウム委員会
論文・プログラム関係
〒657-8501 神戸市灘区六甲台町 1-1
神戸大学 工学研究科
喜多 隆（論文委員長）
TEL/FAX：078-803-6083
e-mail： [email protected]
運営委員長
大野 英男
（東北大）
運営委員
青柳 克信
（立命館大）
朝日 一
荒川 泰彦
（東大）
井須 俊郎
井戸 立身
（日立中研）
荻野 俊郎
尾鍋 研太郎 （東大）
上條 健
河口 研一
（富士通研）
河西 秀典
纐纈 明伯
（農工大）
寒川 哲臣
（科学技術交流財団） 冨谷 茂隆
竹田 美和
名西 憓之
（立命館大）
福井 孝志
福島 伸
（東芝）
藤田 静雄
藤原 康文
（阪大）
松本 功
三宅 秀人
（三重大）
山口 章
油利 正昭
（パナソニック）
吉野 淳二
若原 昭浩
（豊橋技科大）
実行委員長
吉野 淳二
（東工大）
実行副委員長
三宅 秀人
（三重大）
粕川 秋彦
現地実行委員長
関口 寛人
（豊橋技科大）
総務委員
加来 滋
（東工大）
光野 徹也
西永 慈郎
（産総研）
村上 尚
情報セキュリティ委員
宇野 和行
（和歌山大）
会計委員
片山 竜二
（東北大）
国橋 要司
会場委員
石井 良太
（京大）
都甲 薫
富永 依里子 （広島大）
原田 幸弘
企業展示委員
中野 貴之
（静岡大）
論文委員長
喜多 隆
（神戸大）
論文副委員長
須田 淳
（京大）
本久 順一
土屋 朋信
（日立中研）
論文委員
秋田 勝史
（住友電工）
荒木 努
池田 浩也
（静大）
石川 史太郎
石川 靖彦
（東大）
一色 秀夫
大兼 幹彦
（東北大）
大野 雄高
大場 康夫
（JVCケンウッド）
片山 竜二
金村 雅仁
（ﾄﾗﾝｽﾌｫｰﾑ･ｼﾞｬﾊﾟﾝ） 寒川 義裕
北村 雅季
（神戸大）
蔵口 雅彦
佐々木 智
（NTT）
塩島 謙次
末益 崇
（筑波大）
杉山 正和
染谷 隆夫
（東大）
竹見 政義
津田 有三
反保 衆志
（産総研）
寺井 慶和
（九工大）
戸田 泰則
成塚 重弥
（名城大）
藤村 紀文
船戸 充
（京大）
槇田 毅彦
宮本 智之
（東工大）
森
勇介
山下 兼一
（京都工繊大）
山田 明
油利 正昭
（パナソニック）
渡邊 賢司
参加および宿泊の申込みと支払い
〒604-0942 京都市中京区三本木五町目 470-14
竹屋町法曹ビル 401 号
㈱アートツーリスト EMS-34 係
TEL：075-252-2234, FAX：075-252-2244
e-mail：[email protected]
その他シンポジウム全般（事務局）
〒432-8011 静岡県浜松市中区城北 3-5-1
静岡大学 電子工学研究所
光野 徹也 （総務委員）
TEL/FAX：053-478-1336
e-mail：[email protected]
各種情報は，EMSホームページをご覧下さい．
http://ems.jpn.org/
（阪大）
（徳島大）
（横国大）
（沖電気）
（シャープ）
（NTT）
（ソニー）
（北大）
（京大）
（大陽日酸）
（住友電工）
（東工大）
（古河電工）
（静岡大）
（農工大）
（NTT）
（筑波大）
（神戸大）
（北大）
（立命館大）
（愛媛大)
（電通大）
（名大）
（東北大）
（九大）
（東芝）
（福井大）
（東大）
（三菱電機）
（シャープ）
（北大）
（大阪府立大）
（沖電気）
（阪大）
（東工大）
（物材機構）