Page 1 Page 2 ナノスクラッチ試験による SisN繍/Cu薄膜界面損傷機構

884
日本機械学会論文集(Ａ編)
論文N0.04-1089
71裳706号(2005一石)
Ｕ
Ｃ
／
４
ナノスクラッチ試験によるSi3N
薄膜界面損傷機構*
于赤
志正
谷鳥
池白
弘゛1，
強
井 武
樹゛1，
＊１
志*2
Mechanism of Damage Process on the Si3N4/Cu lnterfacein
Nanoscratch
Test
Tadahiro SHIBUTANI*3,Qiang
YU，
Masaki SHIRATORl
and Takeshi AKAI
“jFaallty
’ひ
79
｢E11gilleering，Yok(,hama
Nationa1 University，
Tuk∃wadai，Hodogaya一一ku，Yokohama-shi.Kanagawa，24C一一8501
Japan
As t.heshrinkag
and inteRration nf electric devices，all interfacial fracture between thjn l]ms
wilh several nanometers becomes mcst important. This paper aims that the mechanism
of damage
process al,!11gthe interface betweel･lmulti-layered films dur∃nR nanoscratch tests，Using the edge cf
indenter of Berknvich typ{!，nalloscratchtest was conducted in suh-micro↑l films of Si,N4/Cu/TaN
fabricated on siljcr】n
sLlbstrate. lnitiation of damage takes p】ace near the SiaN4/Cu interface which
has poor interfacialstrenglh befclrefracture ｢SigN,.Damaged
spot appears ullderthe scratched ]ine
and ils size is withill severa]11anometers.Measured
critica】va】uesin nanoscratch
tests and three
dimensh】nahlorl ･linear finiteelement. allalysisreveal that shear slress c(lncentration appears backward the indellter and it agree w迂h the behavior of spot-like damage area from observation hy
means
of microscope
qualitatively. 111ordel･t.nexamine
the validity of damage
mechanism,
another
nalloscratch testin the oppositc diredion c)lscratch was carried out. The va]ue of criticalload takes
the lal'gern】yuhan that ilUhe ol･iRinaltestdue tnthedifferenceoftheshapeofjndenter,but
the stress
analysis reveals that iniliatioll
o r spol.-likedamage
on the iTlterfaCereach the same
JR;が?jy
lnj
｢s: Micn)mccha
takeM〕lace whn
the values of peak stress ac↑ing
in hoth leSts.
｢cs.Materjal
Testin只,Delamination，Finite Element Method, Reliability。
Thin Films， Nalloscratch Test，lnterlacial Damage， Advanced
LSI
1.緒 言
強度が低い場合が多く，また多層構造であるため従来
現在，LSI配線に代表される電子デバイスの多くが，
のスクラッチ評価手法をそのままサブミクロンサイズ
基板上に多数の材料を薄膜として積層させた薄膜積層
の多層膜に適用することは難しい．スクラッチ過程に
体であり，性能の向上や小型化などが実現されている．
おいて，薄膜表面は接触・摩擦を含め多数の非線形現
微細化とともに，異材問の変形のミスマッチに起因し
象が混在する，また，実際の対象とする界面における
た界面はく離が信頼性の士.で大きな問題となっており，
損傷（はく離）等の検出も極めて困難であることから
界面強度を定性的または定量的に評価する手法が提案
その損傷メカニズムについて体系的に検討されている
されている白一円．特に，膜を引っ掻いて損傷したとき
例は皆無である．
の荷重を測定するスクラッチ試験(69)は，汎用性が高
本研究では，多層サブミクロン薄膜のナノスクラッ
く広範囲で用いられている手法のｰ･つである．しかし，
チ試験における損傷機構を解明することを目的として，
評価値に表面の破壊や膜の非線形挙動を含んでいるた
実際のLSI配線用多層薄膜を対象としてナノスクラッ
め，定量的な界面強度評価には問題点が多い．従来，
チ試験を行い，内部に発生する損傷過程を観察した．
スクラッチ試験は耐熱コーティング皮膜などの密着性
とくに，表層摸に透明な保護膜ぐSi3N4）を有する試料を
の高い叫隔膜に対しての特性評価などに用いられてき
対象とすることによって，スクラッチの過程において
た剛j9).肺導体デバイスなどにおいては相対的に界面
内部に発生する損傷を観察することができる.そこで，
界面近傍に発生する損傷挙動を観察するとともに，庄
゛￨京橋弓･付 丿珀IJ
4.11111 5 11.
“正Ｍ，横浜国立.入学大学院2,[学研究院(萄2匍S51111横浜市
保土今行区常盤台79 5).
゛横浜一田々大学大学院工学府，
E mail: shib1團swan.mc.yllu.ac.jp
子および多層膜をモデル化した３次元弾塑性FEM解析
を行い，着目界面近傍の応力・ひずみ分布を求め損傷
メカニズムについて検討した．
４ −
ナノスクラッチ試験によるSi3NjCu薄膜界面損傷櫓臍
885
２．ナノスクラッチ試験
2.1試験方法 スクラッチ試験は，大別すると負荷方
法によって一方向に引っかく単純負荷試験陶ヽ(9印1)や
振動圧子を用いる方法(7い閲などが開発されている．い
ずれの試験も，薄膜の基板に対する界面特性を定性的
に評価する点においては優れた手法であり広く用いら
れる．また，はく離を含め損傷の検出法にとしては(i)
負荷荷重(垂直荷重や摩擦荷重)の急変点凶'凶，(ii)AE
による検出(ll'.(閲(iii)表面観察(9)などが挙げられる．サ
ブミクロン以下の薄膜については膜厚の微小性に起因
Fig.2 Schematic
して(i)や(旧の手法は膜の破壊とはく離発生を分離す
illustration of cross-section of
tcstcd material
ることが極めて困難であり，表面観察により損傷を検
出する場合が多い．本研究では，損傷過程のメカニズ
ムの解明を目的として，負荷過程が単純な押し込み型
のスクラッチ試験を採用するとともに表面観察により
損傷発生を評価した．図１は，ナノスクラッチ試験の
概要を示す．先端の局率半径の小さい圧子に負荷を加
えながら試料に対して水平方向にスライドさせること
で表面近傍に損傷を発生させる．スクラッチ過程にお
ける押し込み変位および負荷量を測定し，試験後の表
面観察により損傷発生点を決定する.
Fig.3 Tesling apparatus ror nanoscratch test.
2.2供試材および試験方法 供試材の複式図を図２に
示す．実際のLSI配線と同様にシリコン基板上にバサ
質薄膜を積層させることにより非線形挙動の影響を軽
ア膜としてTaNが製膜されており，その上にCu(金
減させることが界面物性評価に有効であることが報告
属配線)，Si3Nバ保護膜)が積層されている.SらN4/Cu
されている凶Jj.
界面の異材間のミスマッチか大きく，最弱界面となっ
試験は，室温・大気中で実施した．図３は，試験装
ておりはく離はこの界面近傍で発生する場合が多い川．
置{MTS
保護層であるSj3N4は，透明であり銅表面における損
Syslcms Corporalion製Nailo lndcnter xP}を示
す．ナノスケールの変位を精密Ｒつ連続的に測定する
傷を確認することができる．また，表面層が比較的硬
い材料であるため，内部の損傷に表面の摩擦や破壊が
為に，除板台の上に設置されるとともに周囲も防振壁
及ぼす影響を抑制することが期待できる．インデンテ
に摺われている．征子は図目こ示すBerk･vich型圧子
ーションを用いたはく趨発生試験などにおいても，硬
を用い，先端局率半径は約50nmである．圧子におけ
る負荷荷重および変位を連続的に記録することが可能
であり，分解能はそれぞれlnN，0.002nmである．ス
lndente
クラッチ距離を￡==200μm，最大荷重戸,…=￨-５ｍＮとし
て一定速度{￨，10μm/s}で圧子をスライドさせた．また，
０
圧子の非対称性を利用して図１に示すように異なろス
クラッチ方向(0-o，π)について試験を実施した．試験
後，スクラッチした面をマイクロヌコープ{キーエンス
VH2250，x25001で観察を行い，損傷の有無を確認し
移動距離から損傷発生時の荷重鳥を算■した．
3.結果と考察
3.1ナノスクラッチ試験における内部損傷 図４は、
戸、Ｊ５ｍ執心/jz=10μm/s（0=0）のときの初期における
Fig.1Schemalic illustrati(ln or nanoscralch
スクラッチプロファイルを示している．横軸が、スク
systemwith an indenter of Berkovich lype.
一
ラッチ距離乙、縦軸が測定された押し込み深さ量を表
５−
886
ナノスクラッチ試験によるSらＮむ/Cu薄膜界面損傷機構
０ ０
｀ｂ
ある(0=O).横軸は最大負荷荷重値を示す．各試験条件
において，臨界荷重値のばらっきは比較的小さく10％
Ｅｃ．ｆ笠の︵︶
以内であった．また，0-oにおいてはスクラッチ速度
が臨界荷重に及ぼす影響は小さい．すなわち，0哺の
-100
場合スクラッチ過程における破壊の時間依存性は小さ
-150
い．押し込み速度が増大するとともに，発生荷重は減
少しているがその差は約20％であり負荷速度の変化に
-200
比べると小さい．また，/)．.が２
ｍＮ以上では臨界荷
-250
０
50 100 150
200 250
Scratch
μm
distance L
Fig､4 ScrMch
重値の変化も小さくなっており収束する傾向が見られ
る，図７は，0=πの場合の臨界荷重を示す．スクラッ
チ方向が0=πの場合の方が,0=0の場合に比べて発生荷
pronle、
重はピーク荷重が大きい場合は約２倍以上大きくなっ
ている．これは，0哺の場合圧子稜線部がスクラッチ
方向と一致しており，高い応力集中が発生する為であ
ると考えられる．この場合においても，低スクラッチ
速度(1μm/s)で臨界荷重の収束傾向が認められる．これ
は，両試験において垂直負荷速度dPZdLが小さくスク
ラッチ速度が大きいとき，充分に圧子と表面が接触し
１
aNf︶
０ ０
ｚＥ必
｡＆
している．負荷開始より単調に押し込み深さは増大し
４
of microscopc.
￣
4二心
１ (Ｎ
１
０
leo!l!)9
bymcans
due to nanQscratch
〇
peol
Fig.5 1nlerfacialdamage
哺’九jm/s
-10Um/s
０
自 １
ている.￡=50μm近傍において，若干深さが不連続に
0 2 4
変化する点が認められるがその変化量は小さく，荷重
Peak
に大きな変化は見られない．
図５は，垂直負荷速度j/)/血=0.25
Figji
Load
６
戸,mN
Critical load （0-0）･
mN/sのときのス
１．２
クラッチ痕のマイクロスコープ写真を示す．従来の臨
ＺＥ．
界荷重値として定義される点よりもかなり初期の段階
ノ
Jニー一
１
(ゐ=0,44 mN)でスクラッチ痕の直下に局所的な損傷が
０
. 6０
︲０
４ .2
peol
lEc)!1!JO
認められる．そこで，大気中において長時間放置後再
度観察を行ったところ，損傷は銅特有の赤褐色を有し
ていた．これは内部のCu薄膜が酸化したものであり，
局所的な損傷はShN4/Cu界面近傍において発生してい
ると考えられる．また，最初の損傷が発生した近傍に
おいては,Si3N4膜において表面クラックの発生は認め
られなかった．本研究においては，最初に局所損傷が
匹
→’知m/s
-●’10μm/s
Ｉ Ｉ
0 2 4
て，そのメカニズムについて検討する．
Peak Load
図６は，損傷発生荷重の結果をプロットしたむので
Fig.7Cr削calload（e=幻･
一
現れた位置における荷重を損傷発生荷重として定義し
石−
P, mN
６
ナノスクラッチ試験によるSi3N/Cu薄膜界面損傷機構
y。
887
Tabie l Material properties
Young'
Poisson's
Material Modulus
E[GPa]
四
Si3N4 304
り
(１
Cu l30
．
ｔ ＼ Ｘ
根太
Si l70
1ndenler 1143
Yield strcss
gY IMPa］
27
4000
34
44002）
．
０
ratio
０
,3
０
.2
４
Ｌ
ｒ
−
﹄
酬
ｊ−
μ−ｊｌｌｌＨＰＩ−−ｌｌ 四 一 一
1500
900
３００
･300
Fig.8 Analysis model.
･900
ていないことが考えられる．したがって，本試験では
低スクラッチ速度かつ適切な押込み負荷速度において，
-i5{}0
iMPs】
スクラッチ速度や押し込み速度の影響は小さい，
０）で９
3.23次元弾塑性応力解析による損傷過程の検討 ス
クラッチ試験における損傷過程のメカニズムを解明す
a.30
るために，３次元弾塑性解析を行った．図８は，解析
モデル(e=0)を示す 圧子一膜表面接触郎近傍の局所領
0.18
域(10×9×4.5μm)を対象として1/2領域についてモデ
0.06
ル化している，圧子上面において垂直方向変位を拘束
し，多層膜試料の底面において水平方向変位を拘束し
-0.06
た．試料の底面において垂直荷重7)を表面の圧力とし
-0.18
て負荷を加えるとともに圧子上面に水平方向変位liを
0,30
負荷している．解析は汎用非線形有限要素コードMare
を用いた.用いた要素は８節点１次要素を用いており，
要素数，節点数は13504，15588である，TaN層につい
(♭)y｡，
ては，その影響か小さく解析においては考慮していな
Fig.9 Cont(lurmaps of shearstressand plasticstrain
い，一般に≒スクラッチ試験においては水平方向のス
nearlhejnderlter.
ライド量が大きくそのまま解析を行うと規模が大きく
Cuの降伏応力がバルタ材の値に比べて高めとなって
なり非常に計算負荷が増大する．そこで，本研究にお
いるが，サブミクロンCu薄膜(膜厚400
いては以下のように２段階で負荷を加えた．まず，発
生荷重値(発生時の25C)nm手前)近くまで負荷を加える．
用しているｍ)．また，Si3N，薄膜については，インデ
その後,損傷発生荷重値まで負荷を加えた．このとき，
ンテーション試験で得られた硬さの￨/3の値を用いた．
１段階目の負荷荷重値は実験結果より算出した．用い
た要素の寸法は接触部近傍においては50
nm)のナノイ
ンデンテーション試験から得られる値を文献値より採
他の膜の物性値については文献値より得られたものを
nm とした
用いている‘I°].
解析においては／要素の大変形を考慮しており，接触
解析において,臨界荷重時の押込み量は約50nmであ
部近傍の大きな幾何学的変形に対しても安定的に解析
り，これは実験における押込みプロファイル(図4)とほ
することが可能となっている．圧子と表面の接触部に
ぼ一嶽している．図94a)は，スクラッチ試験において
おける摩擦は考慮していない．表Ｉは，各材料の材料
発生したせん断応力7.y分布4e=0)を示す．図は対称面
物性を示している.SらN4，Cu膜については弾完全塑
よりみた等高線図となっている.SilN4膜内羞において，
性体,その他の材料は等方弾性体として解析を行った．
一
一
フー
888
ナノスクラッチ試験によるSiボ4ﾉCu薄膜界面梢傷機構
高い応力集中が現れている．とくに，Si3N4/Cu界面近
あることを考慮すると実験で確認された離散的な界面
傍においては，庄子後方部に廿ん断応力集中が現れて
近傍の損傷の要因である可能性は小さい，すなわち，
いる，スクラッチ圧子前方において損傷が発生すると
界面近傍の損傷は応力による起因したものであると考
その領域は拡大する場合が多い．すなわち，今回の実
えられる．図10は界面に接するCu側要素内の積分点
験で観察された離散的な損傷は圧子後方郎における応
における応力およびひずみ値を離散的に表示したもの
力場・ひずみ場によると考えられる．図9(bUよ，
である．≒,におけるピーク値は，圧子後方のスクラッ
Si3N4/Clj界面近傍におけろせん断塑性ひずみhv分布
チライン(中心線)上に現れており，このとき損傷はス
を示す．ひずみ集中部は圧子接触表面とCu膜内部に
クラッチ痕の直下に現れる可能性が高い．また，圧子
集中している．この場合，銅膜の内部損傷や表面摩擦
後方にピーク値が存在することから離散的な損傷が発
による損傷などが考えられるが，集中城が圧子前方で
生し易い．なお，応力集中が認められる領域は約100
Ｓ
ag
ａ
Ｓ
-
ａ
Ｍ
吸
賠
箭
恣
咽
腿 溺疸 詞 磁 儲
哩 善
図 征
副
鼠 詣
m
９ 僧
豚
臨
妬
諾漣
殴
屠
懇
喩
順
同
ー
斟
忽･
:‘JJ謳
惣
−ー
釧
肩
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りＺ
眉
ぶ
３ｇ
冶豹 詣 諒
誤報 副 a 函
を
ふEa
籾･3
眉に 惣
犯
茫
痢 殺 証 脳 面詰
･胴
優 万皿否 回 曇 鵬
に.･唄･
諭 箔 附
２い
f･･･
Ｓ
瑕覗
結腸
蔚
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ｉ
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揃 垣 湖
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-
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-1200
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-240
fMPa］
･･ ･5
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｜
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-1600
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ト
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scr
･
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（ｃ）ｏｙ。
０ ０ ０ 00 ６０
１６ １０ ０ ︲４ ４ ＪＩ
0.30
0.18
0.06
-0.06
･0.18
0.30
一心一
ﾄx
scrとごごぷぶ≧ion
叶x
scrl:ごごj:三jlion
（ｂけ。 （d）h、
一
Fjg.10 Djstributjon of slresses lnd slrain ncar thc Si3N4/Cu interace in the case of O−0（Side
８−
｢
889
ナノスクラッチ試験によるSi3N,/Cu薄膜界面損傷機構
∼150 nm となっており，実験で観察された損傷の大き
のようにまとめられる．
さとほぼ同程度である，図10(b)および(c)はそれぞれ
０）ナノスクラッチ試験において，表面の硬質層の影
界面近傍における仙，cりy分布を示す．両者とも応力
響により膜に大規模な不安定破壊が現れる前に
集中城は圧子前方に存在しており，離散的な損傷は発
Si3N4/Cu界面近傍において損傷が発生していた．
生しにくい．また，T。はスクラッチ痕から少し離れた
損傷は局所的に発生しておりその領域は｜ミクロ
箇所においてピークが存在している．図10(d)に示すぜ
ン程度であった．
ん断塑性ひずみ7.yは，圧子後方剖の敲れた箇所にひず （2）初期損傷発生時の荷重値/）｡は，nerkovieh圧子種
I■I ･･■
● ･『●ﾐ｡
線に沿ったケースではスクラッチ速度および押込
み集中部が存在するが，これは解析において初期水平
方向変位が250
み速度の影響は小さい．
nm しかない為に発生したものである．
圧子近傍(100｀200nm)においては，ひずみ集中は圧子
０）３次元FEM非線形応力解析より，他の応力成分が
前方に発生しており，離散的な損傷の要因とはなりに
庄子前方に集中城が存在するのに対レせん断応
くい，すなわち，今回観察された界面近傍の損傷はせ
力≒については圧子後方において応力集中が発生
ん斯応力1;9に起因したものであると考えられる．
する．
図Ｈは,0=釧こおける界面近傍におけるi,y分布を示
している.0=0と同様に，圧子後方において応力値は
高い値を示している．なお，前方においても比較的応
力は高くなっているものの若干圧子後方部のほうが高
りｙ このとき，実験においても同様の損傷が現れてい
ることから，0==7rにおいてもnyによる損傷が発生して
いる可能性が商い．
図12は，スクラッチ線上におけるSi3N4/Cu界面の
せん断応力成分をプロットしたものであるバ旦し，0=77
については，方向が反対であるためスクラッチ方向を
正としてプロットしている，応力値はCu側の積分点
より外挿した値を用いている．スクラッチ試験時の圧
子の接触形態によらず，損傷発生時の圧子後方におけ
{MPal
るi,y応力値はほぼ同程度となっている．これは,負荷
Ｘ
形態によらず界面近傍における応力値があるー一定の値
ぐﾆ=コ
Scratch
に遂したときに損傷が発生することを示唆しており，
界面近傍の損傷に対する抵抗性(強度値)を定量的に評
Fig.11 Distribution oF てxy near the Sけも/Cu
価できる可能性を示している．損傷の発生領域が非常
interface
in thc case or O＝π（Sideof Cu
に小さい(￨ミクロン以下)であることを考慮すると，
300
損傷は応力のビーク値が一定の値に達したときに発生
れ応力のビーク値は239
MPa，241
ed1N“＆s
1sajls﹂Ｓω￡の
すると考えられる.e=0およびπの場合においてそれぞ
MPaとなっており
ほぼ一致している．すなわち，本論文で用いた試料に
おいて，解析より得られるshN4/Cu界面損傷発生の臨
界値(y｡=240MPaは負荷形態に依らない値となっていろ．
4.結 言
ナノスクラッチ過程における多層薄膜界面近傍の損
傷メカニズムを解明することを目的として，代表的な
LSI配線用のSilN4/Cu汀aN構造の多層膜に対してナノ
200
100
0
-100
-200
-300
スクラッチ試験を実施するとともに庄子と反面の接触
-750
-500
-250
０
250
ずみ場について詳細に検討した．得られた結果は以下
Fig.12 Distrihutian or 19 along tlleSi3Ni/Cu
一
を考慮した３次元非線形有限要素法解析より応力・ひ
Distarx:e from the center of indenter, 「171
９−
890
ナノスクラッチ試験に
よるSi,N,/Cu薄膜界面損傷機構
(5)謐谷，鶴賀，于，白鳥，日本機械学会論文集(A)，
69-685，1368-1373(2003)･
(4)スクラッチ方向を反転することにより圧子の接触
形態を変化させた試験においては，稜癩に沿って
(6)
押した場合(0=0)と『同様にスクラッチ初期に局所
(7)
的な損傷が発生した．また，そのときの荷重値は
（8）N.
0=･oの場合に比べて大きくなるが，試験に依らず
M. T, Laugier, Thhl Solid Films， 117，2･13-249(1984).
A，Kinbara
(1988).
R.
Moody、
Angelo、D.P.Norwood
and S，Baba，71』'･S油･d FI･/剤ぷ，63，67-73
R.
Q.
Hwsng、
S.
ald
lW.
venka-Taraman、
j.E.
W.Gerberichttp://www..、46-2、585-597（1998）.
jcla
損傷発生時のFEM解析より得られるせん断応力
l,yは約240
MPa
(9)武藤，許，宮下鮑，日本機械学会論文集(A)，68-670，
となる．
909-91512002)，
(10)A.Kinbara，S.Baba，A.Kikuchi，771j,hS･j,‘d Fj｀1.j,171，
93-98(1989)
参考文献
U)T.
Kitamura， H. Hirakata and T. ltsuji，￡rlg.Fracl.
44ごﾒ1.，70，2089-210H2003).
(2)大宮，井上，岸本，谷中，伊檎，材料，53-8，856-861
12003)，
(3)S. Kamjya， H. Kimura， Y. Yamunobe， M. Saka and H.
Ahe，nM
,SQljj F･･llls，414，9112002).
(11)H.F.Hintermlnn，j，陥c.＆i.7i,ci｡aj.，B2-4，
81 6-822 U 984).
(12)｣，valli，j.陥r- Srj. 7;!cirloj.
j ，4，:300711986).
(13)A.A.Volinsky,J.Vella，l.S，Adhiheuy,V.
Sarihan，L.
Mercado，B.H.Yel]ng
and W. W.Gerberich.Mal.j?eぶ，
Sar， Sysjp.，649，Q5.3,1{2ool}，
(14)結城良治，界面の力学，培風館41990)･
(4)A.A.volinsky，N，
R. M()ody and w. w.Gerberich，
,･lclQﾙfαZeriaμa，50.441-46612002)･
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2005/7/4
日本機械学会論文集．Ａ
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