Miniaturisierung von Medizinprodukten durch Anwendung der

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Miniaturisierung von Medizinprodukten durch Anwendung der
Miniaturisierung von Medizinprodukten
durch Anwendung der Ultra-Fine-Pitch
Flip-Chip-Technologie
R. Dohle, J. Goßler, T. Friedrich, A. Wirth, M. Gorywoda
hochschule
hof
University of Applied Sciences
Univ ersity of Applied Sciences
01.04.2016
Gliederung
• Zielsetzung und Beweggründe
• Herstellung der Proben
• Testbedingungen für die Zuverlässigkeitstests
• Ergebnisse
• Diskussion
• Zusammenfassung und Schlussfolgerungen
• Danksagung
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Zielsetzung und Beweggründe
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Zielsetzung und Beweggründe
• Herausforderungen bei Medizinprodukten
– Hohe Qualtät und Zuverlässigkeit
– Strenge behördliche Anforderungen
– Im Vergleich zu Massenprodukten relativ kleine
Stückzahlen
– Verringerte Größe und Dicke
• Neue Entwicklungen ermöglichen mehr Funktionalität in kleineren und flacheren Geräten
• Höhere Lebensdauer
• Übereinstimmung mit den wirtschaftlichen
Anforderungen des Gesundheitswesens
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Zielsetzung und Beweggründe
• Hohe Miniaturierung von Medizinprodukten
– Flip-Chip-Pitch von 100 µm
– Lotkugeldurchmesser bis zu 30 µm
• Die kleinen Abmessungen der Lötverbindungen
verursachen Bedenken im Hinblick auf deren
Zuverlässigkeit
Standardisierte beschleunigte
Lebensdauertests von Ultra-Fine-Pitch Flip-Chips
• Insbesondere die Lebensdauer der Verbindungen
unter Elektromigrationsbelastung hat in den letzten
Jahren große Aufmerksamkeit gefunden
Charakterisierung der Elektromigrationseffekte
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Zielsetzung und Beweggründe
• Flip-Chip Markttrends (Quelle Yole Développement):
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Herstellung der Proben
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Herstellung der Proben
• Waferbumping mit SAC305 Lotkugeln mit 60 µm,
50 µm, 40 µm und 30 µm Durchmesser
• Lotkugelbestückung:
– Gang Ball Placement (WLSST)
– Solder Sphere Jetting (SB2)
• Flip-Chip-Assembly und Capillary Underfill
– Bestückung
– Reflowlöten
– Underfill (Hand- oder Maschinendosierung)
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Flip-Chips
• Lotkugeln mit 60 µm, 50 µm und 40 µm Durchmesser mittels WLSST bestückt
Courtesy by PacTech GmbH
Courtesy by PacTech GmbH
50 µm Lotkugeln
Courtesy by PacTech GmbH
Courtesy by PacTech GmbH
40 µm Lotkugeln
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Lotkugelbestückung durch WLSST
• Wafer Level Solder Sphere Transfer = Gang Ball Placement
Bond
Tool
Vakuum
Solder
Balls
Vibration
Schablone
Solder Balls
Wafer
Bond
Tool
Bond
Tool
Flux
Reflow
Flux
Wafer
Wafer
Lotkugeln
Wafer
Courtesy by PacTech GmbH
1
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4
5
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Lotkugeljetting (SB2)
• Lotkugeln mit 30 µm Durchmesser mit Solder Sphere Jetting (SB2) bestückt
Courtesy by PacTech GmbH
Wafer
Courtesy by PacTech GmbH
30 µm Lotbumps
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Substrate
• PCB-Layout
Dünnfilmkeramiklayout
Mitsubishi CCL-HL832NX
Al2O3 Typ A996
Au 
flash
← Al2O3-Keramik
← Ni on Au
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Flip-Chip-Montage
Reflowlöten
Flussmittelauftrag
Angepasstes Temperaturprofil
Flip-Chip-Montage
Automatisierter Prozess
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Flip-Chip auf Leiterplatte oder auf Dünnfilmkeramik
• Flip-Chip 10 mm x 10 mm
Flip-Chip mit Underfill auf PCB
Flip-Chip mit Underfill auf Keramik
Ein Hochleistungsunderfill wurde ausgewählt und qualifiziert
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Flip-Chip Teststrukturen
• Schematische Ansicht der verwendeten Teststrukturen
-P
Flip-Chip-Verbindungen auf PCB
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Flip-Chip-Verbindungen auf Keramik
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Testbedingungen
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Teststrategie zur Sicherung von Performance und Lebensdauer
Acceleration
test results
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Predicted reliability or
reliability to check
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Zuverlässigkeitstests
Test
Method
Description
Parameter
EIA/JESD22-A101-B
Life test with
current through
daisy chain
85°C/85% rel. humidity,
100 mA, 2000 hours
2
EIA/JESD22-A101-B
Voltage between
two adjacent daisy
chains
85°C/85% rel. humidity
3V, 2000 hours
3
DIN EN 60 068-2-14
Temperature cycling
-40°C/125°C
3057 cycles
4
MIL-STD 883H, method
1010.8 C.B.
Temperature cycling
-55°C/125°C
15000 cycles/3000 cycles
5
MIL-STD 883H, method
1005.9
High temperature
storage
125°C
2000 hours dry heat
6
JEDEC
JEP154
Electromigration
8kA/cm2/5kA/cm2, up to
35728h@T=125/100/28°C
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Übergeordnete Standards für Hersteller von aktiven Implantaten
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Testbedingungen für Elektromigrationstests mit PCBs
sphere
µm
passivation
µm
Toven
°C
Tchip
°C
J
kA/cm2
I
mA
60
60
125
187
8
227
60
60
125
152
5
141
60
60
100
149
8
227
60
60
100
116
5
141
60
60
28
86
8
227
60
60
28
46
5
141
50
50
125
163
8
157
50
50
125
144
5
98
50
50
100
126
8
157
50
50
100
112
5
98
50
50
28
49
8
157
50
50
28
35
5
98
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Testbedingungen für Elektromigrationstests mit Dünnfilmkeramik
Test No.
I
Toven
°C
Bump 
µm
I/O
count
I
mA
J
kA/cm²
40
360
101
8
125
Duration
hours
1000
30
352
57
8
II
125
40
360
178
14
7000
III
125
30
88
178
25
4850
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Ergebnisse
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Lifetest bei 85°C/85% Relativer Feuchte und 100 mA
Chips mit
60 µm Lotbumps
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Stationärer Temperatur-Feuchte-Betrieb (JESD22-A101)
Chips mit
60 µm Lotbumps
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Temperaturwechsel – Chips auf Leiterplatten
Failure Rate in Dependance on the Number of Temperature Cycles
(Chips with 60 µm solder spheres on PCB)
100
90
Failure rate [%]
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
47
154
311
461
570
728
961 1041 1356 1623 1890 2140 2438 2737 3057
Number of temperature cycles -40 °C/+125 °C
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Temperaturwechsel – Chips mit 40 µm Lotkugeln
• Erster und einziger Ausfall bei 125 °C nach 4268 Temperaturwechseln
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Temperaturwechsel – Chips mit 30 µm Lotkugeln
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Ausgangszustand nach Reflow und Underfill
Al2O3
Nickelschicht
UBM
Flip-Chip
Ag3Sn
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UBM
Goldschicht
Nach 1000 Temperaturwechseln -55°C/+125°C
Temperaturwechsel – Chips mit 30 µm Lotkugeln
Al2O3
Goldschicht
Nickelschicht
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UBM
Flip-Chip
Al2O3
Ag3Sn
UBM
Flip-Chip
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Isotherme Alterung (Hochtemperaturlagerung)
• Chips mit 30 µm Lotbumps
Al2O3
Nickelschicht
Goldschicht
Al2O3
Ag3Sn
UBM
UBM
Flip-Chip
Flip-Chip
Ausgangszustand
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Nach 2000 h @ 125 °C
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30
Elektromigrationstests
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50 µm Bumppaar nach 35 728 h EM-Test @ 5kA/cm2
Kathode
Anode
voids and gap
e-
SEM-Bilder
TOfen = 100 °C
e-
UBM
TChip = 112 °C
UBM
Ag3Sn
Elementmapping für
Sn, Cu, Ni, Ag
Ag3Sn
Elementmapping für
Nickel
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30 µm Bumppaar nach 4050 h EM-Test @ 25kA/cm2
Al2O3
Al2O3
beschädigte Ni-Schicht
SEM-Bilder
e-
evoids and gap
UBM
UBM
Kathode
Elementmapping für
Sn, Ni, Au, Ag
TOfen = 125 °C
Ag3Sn
Anode
Ag3Sn
Elementmapping für
Nickel
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Weibullplot der EM-Lebensdauer für Chips auf PCBs
Probability Plot for 60 µm Solder Bumps
Probability Plot for 50 µm Solder Bumps
Weibull
Weibull
99.99
80
63.2
50
20
95
Failure Probability [%]
Failure Probability [%]
95
80
63.2
50
20
5
5
2
2
1
10
100
1000
10000
Time [h]
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100000
Variable
125°C/8 k A/cm²
125°C/5 k A/cm²
100°C/8 k A/cm²
100°C/5 k A/cm²
99.99
Variable
125°C/8 k A/cm²
125°C/5 k A/cm²
100°C/8 k A/cm²
100°C/5 k A/cm²
1
10
100
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1000
10000
Time [h]
100000
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Black’s Gleichung
 EA 
A

MTTF  n  exp 
 k T

J
Bump 

E A - Activation energy
n - Parameter of current density J
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Konstanten in Black’s Gleichung
EA = 1.13 ± 0.18 eV
n = 4.9 … 2.2
für PCB/Cu/ENIG/SAC305/ENIG/AlCu0.5/Si
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Berechnete Lebensdauerdaten - Weibull Distribution
Durchmesser von
Bump / Passivierung
TOfen
in °C
125
60 µm
100
125
50 µm
100
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J
in
kA/cm²
8
5
8
5
8
5
8
5
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MTTF
in h
(63.2 %)
111
1120
3251
11030
2416
6976
12995
33785
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Weibullplot der EM-Lebensdauer für Chips auf TFC
Probability plot for 30 µm solder joints
125 °C; 25 kA/cm²
Weibull - 95%-CI
95
80
63.2
50
Statistics
Shape
9.40250
Scale
5003.76
Av erage
4747.67
StDev
605.357
Median
4812.47
Failed
2
Censored
3
Correlation
1.000
20
5
2
1
100
5004
Failure Probability %
99.99
1000
10000
Time h
• MTTF 4800±750 h für 40 µm Lotkugeln (14 kA/cm2)
• MTTF 4750±350 h für 30 µm Lotkugeln (25 kA/cm2)
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Diskussion
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39
Diskussion
Temperaturerhöhung auf Chips bei unterschiedlichen Bumpdurchmessern
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40
Diskussion
Schematische Darstellung der Schäden beobachtet in Lötverbindungen nach Langzeit-EM (ohne Ag3Sn)
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Diskussion
Typische SEM Bilder
von ausgefallenen
(links) und benachbarten Bumps
(rechts) mit
50 µm Lotkugeln
nach 20290 h EM-Test
mit 5 kA/cm² und
Toven = 125 °C,
Tchip ≈ 144°C
Elementmapping der
Lötverbindung von
oben: Ausgefallener
(links) und benachbarter Bump (rechts)
mit 50 µm Lotkugeln
nach 20290 h EM-Test
mit 5 kA/cm² und
Toven = 125 °C,
Tchip ≈ 144°C)
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42
Diskussion
• Lange Testdauer: Verbindungen auf PCB fielen am
Kathodenkontakt an der Leiterplatte aus
– Cu-Konzentration in (Ni,Cu)3Sn4 IMCs auf der
Substratseite höher als auf der Chipseite
– Cu kann die Ni-P-Schicht durchdringen
– Cu-Konzentration immer am Kathodenkontakt
zum Substrat am höchsten, d.h. in Richtung der
Elektronenbewegung ¹
• Am Kathodenkontakt zum Chip ebenfalls beträchtliche Schäden durch Auflösung der Ni-P-Schicht und
Formation der Ni3P IMC und von Kirkendallporen in
Flußrichtung der Elektronen ²
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43
Diskussion
Temperature increase due to current flow
40 µm bumps on ceramic substrate
Applied current I in mA
Temperature increase T in °C
75
100
125
150
175
200
20
18
15
15
13
10
11
5
0
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
Current Density J in kA/cm²
Temperaturerhöhung aufgrund von Widerstandserwärmung
gemessen an der Chipoberfläche bei 40 µm Lötverbindungen
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44
Diskussion
• Die auffälligsten Schäden bei Chips auf Dünnfilmkeramik erfolgten am Kathodenkontact zum Chip
– Wir beobachteten die Entwicklung einer sehr schmalen
Separation am Interface zwischen UBM und Lot oder
innerhalb der UBM
– Dieser Spalt ist wahrscheinlich für den Chipausfall
(Unterbrechung in der Daisy Chain) verantwortlich
– Die Polarität des Stroms beeinflußt den Schweregrad der
Auflösung der Ni-P- und Ni-Schichten
• Das interessanteste Ergebnis ist jedoch die sehr
hohe Beständigkeit der Lötverbindungen auf
Dünnfilmkeramik gegen Elektromigration
– Gründe: Geringe Bumptemperaturen
– Art des Metallisierungssystems
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45
Zusammenfassung
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46
Zusammenfassung
• Technologien für Flip-Chips mit Bumpgrößen
zwischen 60 µm und 30 µm in einem Raster von
100 µm wurde entwickelt
– WLSST oder SB2
– Automatische Bestückung
– Underfill
• Standardisierte Zuverlässigkeitstests wurden
ausgeführt und bestanden
• Umfangreiche Elektromigrationsstudie
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47
Zusammenfassung
• Sehr gute Beständigkeit der Flip-Chips auf Leiterplatten gegen Elektromigrationsbeanspruchung
–
–
–
–
EA = 1.13 ± 0.18 eV für Flip-Chips auf PCB
Cu kann die Ni-P Schicht der ENIG Metallisierung durchdringen
Effekt wird durch Elektromigration verstärkt
Risse können sich zwischen Ni-P und Cu bilden und schließlich zum
Ausfall führen
• Noch bessere EM Performance der Chips auf Keramik
– Die Ursache wird in der niedrigeren Temperaturerhöhung der
Lotbumps aufgrund sehr guter Wärmeableitung gesehen
– EM verursachte eine bevorzugte Auflösung der Ni-P- und NiSchichten am Kathodenkontakt
– Die Abwesenheit einer Kupferschicht in diesen Proben erhöht die
Lebensdauer der Verbindungen
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48
Zusammenfassung
• Aufgrund der geringen Arbeitstemperatur ist EM
kein Risiko für Medizinische Implantate A
 E
• Die Ziele dieser Studie wurden

A


MTTF  n  exp

J
k  TBump 

erreicht
– Geringere Größe
– Geringere Dicke
– Verringerte Kosten
• Für Hersteller von aktiven implantierbaren
medizinischen Produkten bedingen die strikten
regulatorischen Anforderungen einerseits eine
Validierung dieser Technologie für deren Produkte,
auf der anderen Seite ein Review der Resultate
durch Verifikation auf Modullevel
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Ausblick
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50
Ausblick
• Lotkugeln mit 20 µm Durchmesser sind nun verfügbar
Courtesy by PacTech GmbH
• Substrate mit 15 µm Lines/Spaces sind jetzt erhältlich
• Eine weitere Miniaturisierung ist durchaus denkbar
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51
Danksagung
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Danksagung
• Wir danken:
– Georgi Georgiev von KSG für Bereitstellung der
Leiterplatten
– Thomas Oppert von PacTech für Bereitstellung der Chips
– Bernd Burger für die Querschliffe
– Stefan Härter (FAPS) und Dr. Florian Schüßler (früher
FAPS, jetzt SIEMENS) für Beiträge zu vorangegangenen
Arbeiten
• Frühe Teile dieser Studie wurden durch das
Deutsche Bundesministerium für Bildung und
Forschung (BMBF) unter der Nummer 02PG236X
gefördert
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53
Danke für Ihre Aufmerksamkeit!
Micro Systems Engineering GmbH
Schlegelweg 17
DE-95180 Berg
Germany
www.mst.com/mseb
[email protected]
Phone +49 (9293) 78-717
Fax
+49 (9293) 78-41
Dr.-Ing. Rainer Dohle et al.
Micro Systems Technologies
Neuhofstrasse 4
CH-6341 Baar
Switzerland
www.mst.com
[email protected]
Phone +41 (43) 266 11 00
Fax
+41 (43) 266 11 11
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